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Cu(Ⅱ)印迹交联壳聚糖吸附剂的制备与选择性吸附的研究

党明岩 , 李壮志 , 李俊杰 , 赵春英

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2015.05.010

采用Cu(Ⅱ)离子为印迹离子,以壳聚糖为原料,甲醛为预交联剂,环氧氯丙烷为交联剂,通过微波法制备出改性壳聚糖吸附剂.考察了合成过程中操作条件对吸附剂吸附性能的影响.结果表明,当壳聚糖质量分数为6%、17.4mL甲醛、8.76 mL环氧氯丙烷、酸化t为10h、θ为70℃时,所得Cu(Ⅱ)印迹交联壳聚糖吸附剂对Cu(Ⅱ)的吸附容量高达3.466 mmol/g;在混合金属离子溶液中,该吸附剂对Cu(Ⅱ)表现出较强的吸附选择性.

关键词: Cu(Ⅱ) , 吸附 , 印迹 , 微波法 , 交联壳聚糖吸附剂

外场下NBT-KBT100x压电薄膜畴变演化、保持特性及印记的研究

朱哲 , 郑学军 , 张丹书

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12492

采用金属有机物分解法制备了不同K含量的弛豫型压电薄膜(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3(NBT-KBT100x).利用压电力显微镜研究了外场条件下纳米级铁电畴翻转,以及保持性能和印记失效.结果表明:(1)不同组分中,NBT-KBT17薄膜单畴态的晶粒个数最多.选取NBT-KBT17薄膜分别测试了其面内极化分量和面外极化分量,该薄膜的面内压电信号较强,这说明薄膜在d31模式下的压电响应明显.(2)选择NBT-KBT17薄膜中较大尺寸的单晶,实现了对弛豫性铁电体的电畴写入.将其在大气环境下放置不同时间,出现了退极化现象,但总的畴态稳定,表明其保持性能较好.(3)制备了NBT-KBT17原理型薄膜电容器,分别测试了加载作用前后NBT-KBT17薄膜电容器的相位和振幅滞后回线图.结果表明外加作用力使相位回线向右发生了一定的移动,且振幅的蝶形曲线均在不同方向上发生了偏移,同时形状也发生了改变.最后,利用空间电荷原理分析了外加力导致薄膜印记产生的机理.

关键词: 压电力显微镜 , 畴翻转 , 保持性 , 印记

Zr基块体非晶合金微通道阵列过冷液相区压印工艺

程思锐 , 王春举 , 单德彬 , 郭斌

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160358

本文利用Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5(Vit1)块体非晶合金对不同宽度的微通道阵列进行充填实验,并研究了形腔宽度、压印载荷与温度对微通道阵列充填高度的影响规律.实验结果表明,随着型腔宽度和压印载荷的增加,微通道充填高度逐渐上升.这就意味着较高的载荷和型腔宽度有利于Vit1块体非晶合金在微通道中了流动.成形温度由673 K上升至703 K时,微通道充填高度由9.1μm增加至46.6 μm;然而,当实验温度达到713 K时,微通道阵列的充填高度急剧下降至26.9 μm.XRD结果显示,在713 K下成形后的试样中存在大量亚稳态的晶化相,非晶基体中的晶化相会增大材料的流动阻力,从而降低其对微通道阵列的充填能力.因此,Vit1合金微通道阵列成形温度区间应控制在673~703 K.

关键词: Zr基块体非晶合金 , Si模具 , 微通道阵列 , 压印 , 微成形性能

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