田力
,
张晓勇
,
毛启楠
,
李学耕
,
于平荣
,
王东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140182
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:A1/Ni-A1结构的CIGS电池.实验研究了真空退火对电池性能的影响.通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91％提高到14.01％.进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代Vcu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升.
关键词:
CuInxGa1-xSe
,
退火
,
溅射后硒化
,
均匀性
,
同质结
