王志勇
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彭超群
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王日初
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王小锋
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刘兵
中国有色金属学报
采用二步烧结技术制备AZO陶瓷靶材，并采用XRD、SEM和EDS对AZO陶瓷靶材进行表征，研究AZO靶材的电阻性能。结果表明：当Al的掺杂量w(Al2O3)为0.5%时，AZO靶材出现第二相ZnAl2O4；随Al掺杂浓度增加，ZnAl2O4的衍射峰强度逐渐增强，ZnO 晶粒尺寸逐渐减小；随着第二步烧结温度θnd的升高，AZO靶材的晶粒尺寸逐渐增大，相对密度也随之增加。靶材的电阻率随θnd增加而降低，且随掺杂浓度升高而增加；在第一步烧结温度θst=1400℃，升温速率vst=10℃/min，第二步烧结温度θnd=1350℃和tnd=16 h烧结条件下， AZO陶瓷靶材(w(Al2O3)=1.5%)的电阻率仅为2.9×10-2Ω·cm。
关键词:
AZO靶材
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二步烧结
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保温温度
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相对密度
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电阻率
