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Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and Micro-Raman Measurement on Composition Determination of High Ge Content Si1-xGex Layer Epitaxied on Si Substrate

Lei ZHAO

材料科学技术(英文)

It is important to acquire the composition of Si1-xGex layer, especially that with high Ge content, epitaxied on Si substrate. Two nondestructive examination methods, double crystals X-ray diffraction (DCXRD) and micro-Raman measurement, were introduced comparatively to determine x value in Si1-xGex layer, which show that while the two methods are consistent with each other when x is low, the results obtained from double crystals X-ray diffraction are not credible due to the large strain relaxation occurring in Si1-xGex layers when Ge content is higher than about 20%. Micro-Raman measurement is more appropriate for determining high Ge content than DCXRD.

关键词: Si1-xGex , high , Ge , content , composition , determi

980 nm High Power Semiconductor Laser Stacked Arrays with Non-absorbing Window

Xin GAO

材料科学技术(英文)

980 nm InGaAs/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) strained quantum well (QW) laser with non-absorbing facets was fabricated by using thermal treatment. Microchannel coolers with a five-layer thin oxygen-free copper plate structure were designed and fabricated through thermal bonding in hydrogen ambient. The highest CW (continuous wave) output power of 200 W for 5-bar arrays packaged by microchannel coolers was presented.

关键词: High power , power , microchannel , coolers , stacked

铝对高温自蔓延合成Ti3SiC2粉体的影响

严汉兵 , 许剑光 , 吴海江 , 颜建辉 , 陈晓宇 , 陈肯

机械工程材料

采用钛、硅、碳单质粉为原料,再添加少量的铝粉作为反应助剂,通过高温自蔓延合成高纯的Ti3SiC2粉体;采用XRD和SEM等研究了合成产物的物相组成和显微结构,通过K-值法估算了产物中Ti3SiC2的含量.结果表明:铝元素的加入显著地促进了Ti3SiC2的合成,铝的加入量对Ti3SiC2的形成有很大的影响,过多或过少都不利于提高合成产物中Ti3SiC2的含量;以钛、硅、碳、铝物质的量比为3∶1.5∶2∶0.2的混合粉为原料合成的产物中Ti3SiC2质量分数最高,达93.6%.

关键词: Ti3SiC2粉体 , 高温自蔓延 , , 助剂

化工用TA2高温拉伸力学性能研究

支有冉 , 李高艳 , 业成 , 宋前甫

材料导报

对工业纯钛TA2在高温(300~900℃)情况下的拉伸力学性能进行实验研究.通过对比分析300℃(1 s-1、0.1s-1、0.01 s-1)和800℃(0.05 s-1、0.1s-1、0.5s-1)时TA2在不同应变速率下的真应力-真应变曲线,发现随着应变速率的增大,最大抗拉强度增强,弹性模量呈现上升趋势,且800℃时的上升趋势更明显.此外,通过对应变速率为0.1s-1时TA2在300~900℃区间内的真应力-真应变曲线进行分析,发现随着温度的升高,其最大抗拉强度和弹性模量均呈现衰减的趋势,且在500~600℃时出现大幅下降趋势.

关键词: TA2 , 高温拉伸 , 弹性模量 , 真应力-真应变

再结晶退火对高硅电工钢冷轧带材组织、有序结构和力学性能的影响*

莫远科 , 张志豪 , 谢建新 , 潘洪江

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00661

采用弯曲实验, 拉伸实验, SEM, TEM和EBSD等手段, 研究了再结晶退火对高硅电工钢冷轧带材组织、有序结构、力学性能和冷轧成形性能的影响. 结果表明, 冷轧试样经800~1200 ℃保温1 h再结晶退火随炉缓冷后, 室温塑性大幅下降, 可弯曲角度均由冷轧试样的150°下降至50°左右, 且二次冷轧出现严重的边裂; 提高再结晶退火后的空冷或油淬温度、冷却速率可显著提高试样的室温塑性, 1000 ℃保温1 h再结晶退火后, 900 ℃油淬试样的可弯曲角度增大至175°左右, 拉伸断后伸长率由随炉缓冷试样的0.2%提高至5.2%, 且二次冷轧基本不出现边裂; 提高再结晶退火后的冷却温度和速率显著提高试样的室温塑性的原因是试样的有序相尺寸明显减小, 例如, 有序相畴尺寸可从600 ℃以下油淬试样的约5 μm分别减小至700 ℃油淬试样的小于50 nm和900 ℃油淬试样的小于25 nm.

关键词: 高硅电工钢, , 冷轧, , 再结晶退火, , 有序度, , 力学性能

CeO2对超音速火焰喷涂WC-12Co涂层腐蚀行为的影响*

岑升波 , 陈辉 , 刘艳 , 马元明 , 吴影

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2016.00031

采用超音速火焰喷涂在Q345基体上制备了微米WC-12Co, 纳米改性WC-12Co和CeO2改性WC-12Co涂层, 利用SEM, XRD和显微硬度计等手段观察表征了涂层的微观组织、相成分和显微硬度, 通过LSCM, SEM, 极化实验和浸泡腐蚀实验等方法研究分析了涂层在1 mol/L H2SO4溶液中的腐蚀行为和腐蚀机理. 结果表明: 纳米CeO2的加入可以显著降低涂层的孔隙率, 有效减少局部腐蚀的发生; 同时添加纳米CeO2可以使涂层电极电位发生正移, 降低腐蚀电流密度, 生成稳定的钝化膜, 降低涂层的维钝电流密度, 提高涂层的耐腐蚀性能; 纳米CeO2改性WC-12Co涂层的腐蚀机制为由孔隙诱发的局部腐蚀, 孔隙处的Co黏结相不断被腐蚀导致WC颗粒失去了支撑作用而脱落, 从而露出新的Co黏结相, 促进了涂层的腐蚀, 使孔隙不断扩大形成腐蚀坑. 而微米WC-12Co涂层和纳米改性WC-12Co涂层不仅最外层的Co黏结相被腐蚀, 而且在孔隙处也发生了严重的局部腐蚀.

关键词: 超音速火焰喷涂, , WC-12Co涂层, , 纳米CeO2, , 极化曲线, , 浸泡腐蚀

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