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高性能HfAlO介质薄膜的制备

程新红 , 宋朝瑞 , 俞跃辉

稀有金属材料与工程

利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m A/cm2.后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面SiO2的生长.

关键词: HfAlO膜 , 高介电常数栅介质 , 电子束蒸发