吴汀
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江莞
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陈立东
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李小亚
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张建峰
稀有金属材料与工程
采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Heusler化合物.X射线衍射分析表明,Te掺杂的TiCoSb化合物是单相.在300～850 K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率.结果表明:未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体,在高温下有很高的赛贝克系数.在Sb位掺杂Te后,材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低.材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小.Te掺杂后材料ZT值提高,最高的ZT值比基体提高了5倍多.
关键词:
half-Heusler化合物
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TiCoSb
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固相反应
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热电性能
