秦毅
,
赵婷
,
王波
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13549
采用射频等离子增强化学气相沉积设备，以高纯N2和B2H6为气源，制备了系列h-BN薄膜，得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下，研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明：在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下，沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响，且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对 h-BN 薄膜的结晶质量有所影响，而物相和光学带隙基本没有改变。
关键词:
h-BN薄膜
,
沉积时间
,
退火时间
,
光学带隙
