陈吉湘
,
王卫国
,
林燕
,
林琛
,
王乾廷
,
戴品强
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00406
选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀(平均晶粒尺寸为20 μm)且取向均匀的高纯Al (99.99%)为原料, 将2组平行样品分别进行等效应变ε≈2的等径角挤压(ECAP)和单向轧制(DR)变形后, 再经360 ℃再结晶退火8~90 min, 利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术(EBSD)的五参数分析法 (FPA) 对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响. 结果表明, 经变形及360 ℃退火后, 2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111}, 并主要对应于以<111>为转轴的大角度扭转晶界. ECAP与DR样品退火后的主要差异在于, 前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓; 后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}. 分析指出, DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111}, 更有益于晶界特征分布的优化. 这与DR变形形成的<110>//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.
关键词:
高纯Al
,
等径角挤压
,
单向轧制
,
再结晶
,
晶界面分布
方晓英
,
王卫国
,
Rohrer G S
,
周邦新
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00650
采用EBSD技术测定了冷轧退火铁素体不锈钢样品单一截面(轧面)的取向成像显微图(OIM),采用直线拟合法重构出晶界迹线,利用五参数法对晶界面{hkl}的分布进行了统计分析.结果表明,经85%冷轧变形的样品再经780℃退火后,合金虽然不存在明显的晶粒取向织构,也不存在以特定轴角对为特征的晶界择优分布,但其晶界面{hkl}的分布却具有一定的择优特性,而且在不同退火阶段,随着平均晶粒尺寸由小变大,择优分布的晶界面随之改变.当平均晶粒尺寸为9 μm时,择优分布的晶界面为{100}晶面,其分布密度超过平均值12%左右;随着晶粒的长大,当平均晶粒尺寸达到15 μm时,择优分布的晶界面以{111}为主,其次为{100}和{112}晶面,其最高分布密度超过平均值10%左右.对于特定取向差晶界,这种晶界面的择优分布特性明显增强.分析认为,退火过程中某些低能晶界由于迁移速率低而被保留下来是晶界面分布存在择优性的重要原因.
关键词:
铁素体不锈钢
,
晶界面分布
,
晶界取向
,
EBSD
陈吉湘
,
王卫国
,
林燕
,
林琛
,
王乾廷
,
戴品强
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00406
选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀(平均晶粒尺寸为20 μm)且取向均匀的高纯Al (99.99％)为原料,将2组平行样品分别进行等效应变ε≈2的等径角挤压(ECAP)和单向轧制(DR)变形后,再经360℃再结晶退火8～90 min,利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术(EBSD)的五参数分析法(FPA)对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响.结果表明,经变形及360℃退火后,2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111},并主要对应于以<111>为转轴的大角度扭转晶界.ECAP与DR样品退火后的主要差异在于,前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓;后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}.分析指出,DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111},更有益于晶界特征分布的优化.这与DR变形形成的<110>//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.
关键词:
高纯Al
,
等径角挤压
,
单向轧制
,
再结晶
,
晶界面分布
张晓宇
,
李德富
,
郭胜利
,
赵宪明
稀有金属
Hastelloy C-276合金经小变形量冷轧后进行1100℃不同时间的退火处理.采用EBSD技术对∑3和∑9晶界比例进行统计,同时采用五参数法对∑3和∑9晶界面分布进行分析.结果表明,∑3晶界随着退火时间的延长更加接近于标准重合点阵晶界取向,而其晶界面更加接近于低能量的{111}晶界面.这一结果符合晶界“微调”机制.∑9晶界面分布则越来越集中在[110]晶带.而偏差较大的∑9晶界比例增加,是由于非共格∑3比例的增加导致的.
关键词:
Hastelloy C-276合金
,
∑3和∑9晶界
,
晶界面分布
,
EBSD
