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不同温度轧制H68黄铜样品退火后的晶界特征分布

姜英 , 方晓英 , 王友林 , 彭欢 , 杜佳泽

材料热处理学报

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同温度轧制黄铜H68样品退火后的晶界特征分布(GBCD).黄铜H68再结晶样品在不同温度下(-20℃、室温、100℃)进行6％轧制,随后进行650℃×10 min退火处理.结果表明:在室温下轧制退火比在100℃轧制退火和-20℃轧制退火生成更高比例的特殊晶界,其值达到78.7％;较大尺寸(400 μm)的∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了合金的GBCD优化.分析指出:在室温下轧制,合金的层错能有利于后续退火中形成退火孪晶,并发生∑3n(n=1,2,3)晶界迁移与交互反应;在100℃下轧制,合金的层错能较高,有利于后续退火中生成一般大角度晶界包围的新生晶粒;在-20℃下轧制,合金的层错能较低,后续退火中晶界迁移的驱动力不足,不能实现GBCD优化.

关键词: 黄铜H68 , 轧制 , 晶界特征分布

黄铜H68轧制后在不同温度退火样品的晶界特征分布

姜英 , 王友林 , 代虎波

材料热处理学报

采用电子背散射衍射（EBSD）技术研究了轧制和退火对黄铜H68样品晶界特征分布（GBCD）的影响。结果表明：再结晶处理后经小变形冷轧（6％）的黄铜H68样品，在650℃×10min退火比在270℃×10min退火和270℃×10min-650℃×10min退火生成更高比例的特殊晶界。进一步分析指出：在应力大小和分布相近的条件下，650oC退火时，晶界迁移的的驱动力大，相比270oC退火更能促使样品中原有及新形成的非共格∑3晶界广泛迁移，在迁移中彼此相遇并发生交互反应，派生出∑9和∑27晶界，使∑3^n（n=1，2，3）特殊晶界的比例增大，当退火10min时，特殊晶界的比例达到峰值；随后如继续保温，在界面能作用下，晶粒合并、长大使特殊晶界比例下降。

关键词: 黄铜H68 , 退火 , 晶界特征分布

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