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巨介电陶瓷CaCu3Ti4O12/聚合物复合材料研究进展

苏艳丽 , 黄鹤

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2014.02.018

介绍了具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷与聚合物形成复合材料的制备工艺,分析了复合材料介电性能的影响因素,展望了今后巨介电陶瓷CaCu3Ti4O12/聚合物复合材料的发展趋势.

关键词: CaCu3Ti4O12陶瓷 , 聚合物 , 复合材料 , 巨介电常数

非化学计量比巨介电CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷研究

梁桃华 , 胡永达 , 杨邦朝 , 杨仕清 , 马嵩 , 赖玲庆

功能材料

采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu_3Ti_4O_(12)(简称CCTO)陶瓷.当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08:3.00:4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×10~5(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数量级.结合XRD、SEM、EDX等分析表征结果,对巨介电常数的物理机理进行了探讨.

关键词: CCTO , 非化学计量比 , 巨介电常数 , 机理

巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

宋江 , 成鹏飞 , 王秋萍 , 余花娃 , 李盛涛 , 李建英

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.19.013

CaCu3 Ti4 O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性，这使得 CCTO 可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了 CCTO 高介电常数起源的内禀机制和外禀机制，详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响，阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联，肯定了晶粒电导赝极化理论，指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于：基于外禀机制的 IBLC模型，通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导，进而调控CCTO的介电损耗，使 CCTO 保持较高介电常数的前提下，在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

关键词: CaCu3 Ti4 O12 , 巨介电常数 , 介电损耗

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