吴海平
,
张国庆
,
王辉
,
夏燕萍
,
陶宇
,
陶国良
材料导报
低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.
关键词:
纳米材料
,
半导体
,
硅
,
锗
何静
,
王小能
,
刘明海
,
王继民
,
唐谟堂
,
鲁君乐
,
王涛
,
罗超
,
郭瑞
稀有金属材料与工程
为提高真空炉渣中锗的浸出率提供理论依据,对含锗真空炉渣在HCl-CaCl2-H2O体系中锗的浸出动力学进行了研究.结果表明,浸出过程属于生成固体产物层的“未反应核收缩模型”,其宏观动力学方程为:1-2/3x-(1-x)2/3=4.66×10-3 CHCl1.027CCaCl21.046d-0.862exp(-21068/RT)t,表观活化能为21.068 kJ/mol,浸出过程受灰分层扩散控制;提高盐酸的浓度、氯化钙浓度、浸出温度、液固比及减小矿物粒度均可加快锗的浸出速度,提高锗的浸出率.
关键词:
锗
,
真空炉渣
,
盐酸
,
氯化钙
,
浸出动力学
肖清华
,
王敬欣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.023
主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果, 并与室温注入情形予以对比. 卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究. 实验表明, 冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著, 反射率降低更为明显, 意味着引入的损伤更为严重, 更容易使硅单晶非晶化. 而且, 冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置, 相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入. 结果还表明, 同样的注入温度下, 剂量越大, 损伤越严重.
关键词:
硅
,
锗
,
冷注入
,
损伤
,
卢瑟福背散射谱
,
红外干涉反射谱
李阳平
,
陈海波
,
刘正堂
,
武倩
,
郑倩
,
张淼
,
徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
苏杰
,
黄美玲
,
钟根香
,
黄新明
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.002
研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响.实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度.当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强.当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3％,间隙氧浓度平均降低约6％,机械强度平均提高约20％.但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响.
关键词:
多晶硅
,
锗
,
位错
,
氧
,
机械强度
普世坤
,
兰尧中
,
刀才付
稀有金属材料与工程
先采用二氧化锰氧化-盐酸蒸馏提取煤烟尘中的锗,经提纯后制备得到高纯二氧化锗,同时煤烟尘中的镓在蒸馏过程中充分溶解到了锗蒸馏残渣液中,过滤后镓和蒸馏后残留的锗进入到了蒸馏残液中,调节蒸馏残液的酸度至5.6mol/L,采用磷酸三丁酯的260#溶剂油溶液对镓进行萃取,蒸馏残液中的少量锗亦被同时萃取进入到有机相中,用氢氧化钠溶液进行反萃取,反萃取完后调节pH至6.5～6.7,升温至85～95℃水解,得到氢氧化镓沉淀和二氧化锗沉淀,经过滤烘干后得到含锗镓精矿.锗的蒸馏回收率可达到92.37％以上,残液中锗的萃取率可达到86.18％以上;镓的盐酸浸出率可达81.23％以上,镓的磷酸三丁酯萃取率可达98.81％以上,反萃取率可达99.11％以上,中和沉淀直收率可达93.20％以上;工艺方法具有工艺流程简短、设备简单、过程易于控制,所用生产辅料较少,是一种从煤烟尘中综合回收锗和镓的高效且经济的方法.
关键词:
锗煤烟尘
,
盐酸
,
TBP
,
锗
,
镓
,
回收
