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硼酸缓冲溶液中pH值和Cl^-浓度对Cu腐蚀行为的影响

王长罡董俊华柯伟陈楠

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00440

在硼酸缓冲溶液中, 采用动电位极化、电化学阻抗谱(EIS)和半导体电容分析方法分别研究了Cu电极的极化行为及其表面人工Cu₂O钝化膜的化学稳定性. 结果表明,低 pH值、高Cl$^{-}$浓度均造成Cu₂O钝化膜的破坏和溶解. 高Cl^-浓度时,Cu₂O钝化膜的半导体性质由p型转变为n型, 使Cl^-更容易进入钝化膜与Cu⁺络合, 并破坏钝化膜从而加速腐蚀. 高pH值、低Cl^-浓度有利于Cu₂O钝化膜稳定.

关键词: 高放废物地质处置 , Cu₂O passie film , tability , electrochemical impedance spectroscopy (EIS) , Mott–Schottky method