林啟维
,
何超
,
龙西法
人工晶体学报
采用高温助熔剂法首次成功生长出了Pb(Yb1/2Nb1/2) O3-Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 (PYZNT)三元铁电单晶,并对晶体组分、介电、铁电和压电性能进行了研究.结果表明,晶体为纯三方钙钛矿相,实际组分为0.68PYN-0.22PZN-0.1PT.分别对晶体的介电,铁电和压电性能进行研究.介电常数ε'和介电损耗tanδ对温度和频率表现出典型的弛豫行为.晶体的居里温度TC为80℃.由于反铁电体PYN含量较高,晶体具有非常大的矫顽场,在100kV/cm的外电场条件下极化还不能反转,因而无法得到饱和的电滞回线.在未极化条件下,测得晶体的压电常数d33为78 pC/N.
关键词:
PYZNT
,
助熔剂法
,
介电性
,
铁电性
,
压电性
谢东华
,
赖新春
,
陈秋云
,
张延志
,
徐钦英
,
罗丽珠
稀有金属材料与工程
采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究.结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好.UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2) nm,c=0.67298(3) nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证.
关键词:
UFeGa5
,
助熔剂法
,
晶体结构
,
Rietveld方法
谢东华
,
赖新春
,
谭世勇
,
张文
,
刘毅
,
冯卫
,
张云
,
刘琴
,
朱燮刚
稀有金属
采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质.研究表明,中等关联强度的USb2中的5f电子具有巡游和局域双重特征.USb2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构.在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化.在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙.在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响.
关键词:
USb2
,
助熔剂法
,
磁化率
,
输运性质
张帆
,
沈德忠
,
沈光球
,
王晓青
人工晶体学报
采用Bi4B2O9、CdB2O4和BaB2O4为助熔剂,获得了毫米级的氧化锌单晶.Muiliken的电负性理论和Viting的平均轨道电负性提供了一个选择晶体生长所采用的助熔剂的有效方法.实验结果表明ZnO晶体的生长温度比文献报道的均低,从而有效地减少了ZnO以及助熔剂的挥发.本文给出了几种有望获得大尺寸ZnO单晶的助熔剂.
关键词:
晶体生长
,
助熔剂法
,
氧化锌
