王新华
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王玲玲
,
王怀玉
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邓辉球
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黄维清
金属学报
采用Recursion方法计算了不同掺氟量和不同替代位置下Y-Ba-Cu-O的电子结构,
从掺氟Y-Ba-Cu-O各晶位的态密度(DOS), 可进一步得到Fermi能EF、
Fermi能级处的态密度N(EF)以及各晶位原子价等重要数据. 各模型的计算
结果表明, 掺入氟后引起CuO2平面上Cu的原子价升高和O的价位变得更负,
使Cu位空穴数目增加和O位空穴数目减少, 且以后者的变化为主. 掺氟改变了
Y-Ba-Cu-O中CuO2平面上载流子的浓度, 影响了电荷从CuO2平面向
CuO链的转移, 增加了Fermi面电子浓度, 这可能是对
高温氧化物超导电性产生影响的原因.
关键词:
Y-Ba-Cu-O超导体
,
fluorine doping
,
electronic density of states
(DOS)
