刘芳
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王茺
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杨瑞东
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李亮
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熊飞
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杨宇
材料导报
采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.
关键词:
第一性原理
,
SiGe
,
电子结构
,
光学性质
李昭宁
,
赵新才
,
王伟平
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.008
使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Fe掺杂CdTe的晶格结构与电磁性质变化.研究发现,掺杂体系的晶格常数与电子结构等随掺杂Fe原子的位置不同而异.通过能带结构与电子态密度的分析表明,不同占据位的Fe原子表现出迥异的电子能级分布、轨道杂化等,从而引起体系电子性质与原子磁矩的显著变化.其中,替代位与间隙位Fe杂质的原子磁矩分别为3.76和3.14玻尔磁子.这一研究对深入理解掺杂CdTe类稀磁半导体的物理性质有重要意义.
关键词:
碲化镉
,
铁掺杂
,
电子结构
,
第一性原理
