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Ti-Si-N薄膜生长过程的计算机模拟

刘学杰 , 洪超 , 姜永军 , 孙士阳

表面技术

首次应用修正嵌入原子法(MEAM)以及动力学蒙特卡洛方法(KMC)对Ti-Si-N薄膜的生长过程进行了计算机仿真模拟.在合理选择势函数及MEAM各项参数的基础上,利用编程软件仿真在不同基底温度下的薄膜生长过程.与采用传统简单的Mouse势进行模拟的结果相比,这种新方法的模拟结果更加准确,与实验结果更加吻合.仿真结果表明:基底温度对Ti-Si-N薄膜的形成过程有着直接的影响,当基底温度为800 K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低.

关键词: Ti-Si-N薄膜 , 薄膜生长 , 计算机模拟 , MEAM势

溶液沉积平整化工艺用于制备第二代高温超导带材的研究进展?

储静远 , 赵跃 , 吴蔚 , 洪智勇 , 金之俭

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.23.016

低成本制备高性能第二代高温超导带材是实现其产业应用的基础。离子束辅助沉积技术由于具有对金属基带材料依赖弱、产生的织构度高、生产速度快等优点而被广泛使用。在该工艺中,如何获得原子级平整的金属基底,进而获取优良织构的缓冲层一直是科学家关注的焦点。近年来,溶液沉积平整化(SDP)作为一种新型的基底平整化处理方式,以其特有的成本低廉、生产高效等优势越来越被各国所重视。系统地介绍了 SDP 工艺的发展历史和基本原理,总结了近几年来国内外科研机构对 SDP工艺研究的主要内容及最新进展。

关键词: 第二代高温超导带材 , 薄膜生长 , 溶液沉积平整化 , 离子束辅助沉积

衬底材料对Ti膜形貌及结构的影响

付文博 , 刘锦华 , 梁建华 , 杨本福 , 周晓松 , 程贵钧 , 王维笃

稀有金属材料与工程

使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析.结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大.抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi2的峰存在.

关键词: 衬底 , 储氢薄膜 , 电子束热蒸发 , 形核 , 薄膜生长

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