胡增顺
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晋玉星
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杨桦
合成材料老化与应用
利用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si (100)基底和700℃条件下分别制备了Nd和Mg (不同浓度)共掺杂的钛酸铋薄膜Bi3．15Nd0．85Ti(3-x)Mg2xO12(BNTM)(x=0．00,0．06,0．10和0．14),并进行了这一系列薄膜的包括微结构、介电、铁电和漏电流等特性的研究和对比。发现当Mg含量为x=0．10时,薄膜具有较高的剩余极化强度(2Pr=33．40μC/cm2)和介电常数(ε=538,频率为1kHz),其漏电流密度为10-8A/cm2。讨论了相关的物理机制。
关键词:
铁电薄膜
,
共掺杂
,
BNTM
,
化学溶液沉积法
陈祝
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杨成韬
,
王升
,
杨邦朝
功能材料
通过一新的溶胶-凝胶工艺:反提拉涂膜方法,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了PZT(Zr/Ti=52/48)铁电薄膜,并研究了退火工艺及其PbO的挥发对薄膜微结构、表面形貌、取向、及铁电性能的影响.本文首次提出并应用反提拉涂膜技术制备了PZT薄膜,此技术相对于传统的溶胶-凝胶工艺具有以下几方面的优点:操作控制简单方便、成本低、原料利用率高、无污染等.研究发现PZT薄膜通过增加PT晶种层后可以抑制PbO的挥发,同时薄膜呈现较强的(110)取向;在薄膜的退火处理过程中还发现氧气氛有助于降低PbO的挥发、促进晶粒的长大和降低钙钛矿的晶化温度,在氧气氛中退火的PZT薄膜显示了很好的铁电性能,其剩余极化强度明显增大而矫顽场只有极小的增加.
关键词:
PZT
,
溶胶-凝胶
,
反提拉涂膜
,
PbO挥发
,
铁电薄膜
王敏
,
郭会勇
,
张果戈
,
李文芳
表面技术
以0.2 mol/L Ba(OH)2+0.2 mol/L Sr(OH)2溶液为电解液,采用微弧氧化法,在Ti板表面原位生长铁电薄膜,并对薄膜的物相构成、元素分布情况、截面结构及介电性能进行表征.结果表明:该工艺下制备的薄膜主要由四方相Ba0.5Sr0.5TiO3构成,薄膜致密层内,Ba,Sr,Ti和O元素分布都较均匀,但在微弧氧化孔洞附近存在含量波动;该薄膜在1 kHz下的介电常数较优,为411.3.最后对微弧氧化沉积铁电薄膜的成膜过程进行了分析,提出了微弧氧化过程中可能存在的化学反应.
关键词:
Ba0.5Sr0.5TiO3
,
铁电薄膜
,
微弧氧化
,
介电性能
陈彬
,
燕红
人工晶体学报
采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响.结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能.Nd掺杂量x=0.30 ～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr＞250,介电损耗tanδ ＜0.1,剩余极化Pr=20.6 μC/cm2,Ec＜ 150 kV/cm.Ag/Bi4-xNdxTi3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V曲线表明该异质结可实现极化存储,其记忆窗口达1.6V.但掺杂量不宜过多,当Nd掺杂量达到0.45以后,薄膜的介电、铁电性能反而有所下降.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4-xNdxTi3O12
,
介电性能
,
铁电性能
李辉遒
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唐新桂
,
刘毅
,
唐振方
,
张曰理
,
莫党
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.017
用溶胶凝胶法在Si(100)衬底上制备了(Pb,Ca)TiO3 铁电薄膜样品, 测量了其在2.3～5.0eV能量范围的椭偏光谱, 并获得样品的膜厚和在该区间的光学常数谱. 实验发现Pb离子被Ca离子取代后, 折射率峰向低能方向移动; 同时随着Ca含量的增加, (Pb,Ca)TiO3 的吸收边向低能方向移动, 表明Ca离子取代Pb离子后, 禁带宽度 g减小. 还讨论了引起折射率峰移动和禁带宽度E g减小的原因.
关键词:
椭偏光谱
,
光学常数
,
铁电薄膜
