郭杰
,
郝瑞亭
,
赵前润
,
满石清
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027
采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。
关键词:
InAs/GaSb
,
超晶格
,
ICP 刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
宋卿
,
张永俊
,
于兆勤
,
王冠
表面技术
目的 研究模具钢微细蚀刻中,蚀刻速率的变化规律.方法 采用蚀刻液喷淋加工方式,对掩膜的模具钢表面进行蚀刻,考察掩膜间隙、蚀刻液喷淋压力、蚀刻液温度对蚀刻速率的影响. 结果 蚀刻速率随掩膜间隙尺寸的增大而增加,当掩膜尺寸大于150μm时,蚀刻速率增长较快;较大的喷淋压力有利于蚀刻液的更新和蚀刻产物的排除,使得蚀刻反应充分,蚀刻速率较高;温度在一定范围内升高,蚀刻液活性增大,蚀刻效率提高,蚀刻速率增大.结论 最佳工艺条件为:掩膜间隙尺寸150 ～ 200 μm,蚀刻液喷淋压力1.0～1.4MPa,蚀刻液温度35～ 40℃.在此加工条件下,模具钢的蚀刻速率高,加工效率高,同时可以保证较好的蚀刻尺寸精度.
关键词:
微细蚀刻
,
模具钢
,
蚀刻速率
