王瑞敏
,
褚武扬
,
宿彦京
,
高克玮
,
乔利杰
金属学报
//金属学报.¾2005, 41(3).¾ 297~301
研究了浸蚀对极化和未极化的BaTiO3单晶中畴变和压痕裂纹扩展的影响. 结果表明, 对面内极化试样(即极化方向[001], 压痕面(100)), 用HCl+HF水溶液浸蚀20 s, 其压痕裂纹的平均长度由(140±17)μm扩展至(211±26)μm, 即增长50%, 同时压痕裂纹所围的90畴变区也明显增大; 先浸蚀再打压痕和压痕后再浸蚀所得的结果相同. 其原因和浸蚀剂分子吸附降低表面能有关. 对离面极化试样(即压痕面(001)垂直于极化方向[001]), 则浸蚀对其裂纹长度和畴变区基本没有影响. 对未极化试样, 浸蚀使其裂纹长度从(150±21)μm增至(182±30)μm, 即增长约20%, 同时畴变区亦增大.
关键词:
BaTiO3单晶
,
etching
,
domain switching
初立英
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许立坤
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吴连波
,
王廷勇
,
王均涛
,
陈光章
金属学报
钛基体涂覆铱钽氧化物阳极制备过程中对基体喷砂并进行不同时间的草酸浸蚀。环境扫描电镜、析氧极化曲线、电化学阻抗谱测试表明, 草酸对钛基体的腐蚀速度及涂层载量(Ir含量)随腐蚀时间的延长先增大后减小。经过适当时间酸蚀处理后的基体上制备的氧化物阳极均匀致密, 其电化学活性表面积大, 析氧电催化活性提高, 并具有较长的使用寿命。
关键词:
氧化物阳极
,
etching
,
oxalic acid
韩志高
,
许令峰
,
吴卫东
,
宋月鹏
,
郭晶
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.09.010
目的：研究高压电子铝箔在NaOH和HCl溶液中的电化学行为,分析酸、碱预处理对铝箔电化学腐蚀扩面效果的影响。方法比较铝箔在不同浓度NaOH,HCl溶液中的预处理效果。采用极化曲线获得铝箔在各预处理溶液中的电化学参数,研究其腐蚀行为。利用扫描电子显微镜观察预处理后铝箔的表面形貌,分析预处理对铝箔表面形貌的影响。观察铝箔腐蚀扩面后的蚀孔形貌及蚀孔分布,分析预处理对蚀孔的影响。结果预处理减弱了铝箔制造过程中形成的表面不均匀,提高了表面活性,使得铝箔在电化学腐蚀处理中蚀孔密度增加,分布均匀。对未预处理铝箔及经HCl和NaOH预处理的铝箔进行电化学扩面处理,发现相对于未预处理的铝箔(比电容为0.56μF/cm2),经HCl溶液预处理的铝箔比电容提高了4%~8%, NaOH溶液预处理的铝箔比电容提高更为明显,约为13%~16%。铝箔在HCl溶液中的自腐蚀电位约为-820 mV,在NaOH 溶液中的自腐蚀电位约为-1720 mV,并且经计算得知,铝箔在NaOH溶液中比在HCl溶液中自腐蚀速率快。结论铝箔在NaOH溶液中腐蚀均匀,用NaOH溶液对铝箔进行预处理,可以消除铝箔轧制缺陷,提高铝箔的比电容。
关键词:
预处理
,
电子铝箔
,
比电容
,
腐蚀
,
电化学
,
扩面
冯爱虎
,
周爱国
,
李正阳
,
张恒
,
孙丹丹
硅酸盐通报
为了验证是否可以利用氢氟酸刻蚀Cr2AlC制备二维晶体MXene,本文采用气氛保护管式炉,在不同合成温度、保温时间及配比条件下制备出Cr2AlC样品,通过XRD图谱分析找出最佳原料配比为Cr∶ Al∶C =2∶ 1.1∶1,合成温度为1400℃,保温时间为1h.然后在此工艺条件下,制备疏松的样品,并用砂纸打磨去掉含有较多杂质的表层,然后把样品粉磨成大小不同的颗粒.这些颗粒放入氢氟酸中处理,将真空干燥后的反应产物进行XRD分析,结果表明Cr2AlC样品颗粒越小,反应时间越长,反应温度越高,HF酸浓度越高,Cr2AlC越容易被腐蚀,但是反应产物中均不存在二维晶体MXene,证明利用HF酸刻蚀Cr2 AlC制备二维晶体MXene的方法不可行.
关键词:
Cr2AlC陶瓷
,
无压合成
,
腐蚀性
,
MXene
鲁厚芳
,
闫康平
,
严季新
,
王建中
稀有金属材料与工程
在浸蚀多孔金属铝模板中制备小尺寸TiO2阵列材料.用电化学浸蚀方法由高纯金属铝箔制得了具有金属特性的多孔金属铝模板,此模板具有较强的耐化学腐蚀、耐热性能,并具有强的机械强度.模板的结构可由浸蚀条件控制,如电流密度,HC1和H2SO4浓度比、温度、浸蚀时间等.在此模板中用TiO2溶胶和纳米粉末组成的浆体制备了小尺寸的阵列材料,模板的孔洞结构可由TiO2阵列复型.由此得到的TiO2阵列的长径比为10～40.
关键词:
浸蚀
,
多孔铝模板
,
TiO2
,
小尺寸阵列
崔启栋
,
李明伟
,
尹华伟
人工晶体学报
首先测量了KDP溶液的亚稳区,并据此开展“点籽晶”KDP晶体快速生长实验.在实验中采用两种晶体运动方法-“二维平动法”和“旋转法”来生长晶体,分别得到尺寸为55 mm×55 mm×48 mm和60 mm×60 mm×45 mm的晶体.将两种运动方式生长的晶体通过透过光谱,锥光干涉图以及化学腐蚀方式进行质量对比.结果表明,两种方式生长的晶体透过光谱没有太大区别,都具有较高的透过率,但“二维平动法”生长的晶体具有较好光学均匀性,位错密度明显降低.说明“二维平动法”生长晶体的方式能够减少晶体内部缺陷,提高晶体质量.
关键词:
KDP晶体
,
“二维平动法”
,
透过光谱
,
锥光干涉图
,
化学腐蚀
李刚
,
卢黎明
材料热处理学报
采用热CVD方法直接在平面硅基底上成功地制备出定向碳纳米管薄膜。在反应中,镍过渡金属作为催化剂,碳氢化合物乙炔作为碳源,研究了催化剂薄膜厚度对高温氨气预处理后单晶硅衬底上沉积的催化剂镍膜的纳米结构形貌和所生长的定向碳纳米管薄膜等的影响规律。通过扫描电子显微镜（SEM）观察表明,高温刻蚀后,纳米镍颗粒的平均直径一定程度上取决于薄膜的原始厚度,且颗粒密度也取决于薄膜原始厚度,由于氨气的介入,厚为5～10 nm的镍催化剂薄膜具有高的颗粒数密度;碳纳米管的直径随催化剂薄膜厚度单调增大,而其长度随催化剂厚度的增加先增加后减少,且其定向程度随催化剂厚度的增加是先增强后减弱。
关键词:
化学气相沉积
,
定向碳纳米管
,
刻蚀
,
纳米颗粒
魏静
,
徐金来
,
吴成宝
电镀与涂饰
为了优选酸性氯化铜蚀刻工艺条件,提高工作效率,采用喷射法动态试验,研究了影响印刷线路板铜箔蚀刻速率的因素.结果表明,当氯化铜质量浓度为150～250 g/L,盐酸浓度为1.6～3.0 mol/L,氟化钾浓度为1.4～1.6 mol/L,操作温度50 ℃左右,试样运动速率2.14 m/s时,蚀刻效果最佳,最高蚀刻速率接近60 μm/min.适当加大喷淋量有利于提高蚀刻速率.
关键词:
印刷线路板
,
铜箔
,
蚀刻
,
工艺参数
唐春华
电镀与涂饰
对各种除锈方法(机械除锈与化学除锈)进行了详细的介绍，概括了其特点、应用范围、操作程序和注意事项，并用实例进行了说明。
关键词:
磷化
,
除锈
,
浸蚀
,
酸洗
,
抛丸
简志超
,
彭永忠
电镀与涂饰
对电解铜箔的毛面电镀锌镍钴合金.镀液组成和工艺条件为:NiSO4·6H2O 15～30 g/L,ZnSO4·7H2O 5～15 g/L,CoSO4·7H2O 2～4g/L,配位剂110～150g/L,添加剂B0.1～0.5 g/L,温度50～60℃,pH8～11,电流密度2～6A/dm2,时间3～5s.对镀锌镍钴合金镀层的微观结构、高温抗变色性、抗拉强度、耐热性、耐蚀性等性能进行表征.结果表明,所得锌镍钴合金镀层均匀,呈暗红色,对电解铜箔抗拉强度和延伸率的影响不大.镀锌镍钴合金铜箔的耐热性和耐蚀性优于镀锌镍合金铜箔.另外,镀锌镍钴合金铜箔的高温抗变色性和蚀刻性极好,在蚀刻过程中铜箔无侧蚀现象.
关键词:
电解铜箔
,
锌镍钴合金
,
毛面
,
机械性能
,
蚀刻
