周涛
,
刘聪
,
陆晓东
,
吴元庆
,
夏婷婷
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.007
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究.仿真结果表明,发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响.当发射区表面浓度为5×1020 cm-3,结深为0.1μm时,太阳电池转换效率最高,可达20.39%.若采用热扩散工艺制备发射区,扩散温度范围为825~850℃,扩散时间范围为10~20 min;若采用离子注入工艺制备发射区,当注入剂量为1×1017 cm-2,注入能量为5 keV时,退火温度范围为850~875℃,退火时间范围为5~15 min.
关键词:
单晶硅
,
太阳电池
,
发射区
,
表面浓度
,
结深
,
扩散
,
离子注入
,
转换效率
帅永
,
赵博
,
张卓敏
,
谈和平
工程热物理学报
本文采用严格耦合波法(RCWA)分析了光栅/薄膜结构磁极化激发特性,研究了二维光栅结构与三维光栅结构对TPV辐射器光谱选择特性的影响,考察了金属材料、入射角、偏振特性、光栅尺寸等参数对光谱发射率的影响,获得了几何参数和物性参数对磁极化激元的激发规律.这种纳米结构对太阳能电池、热光伏设备和辐射发射器具有重要的应用价值.
关键词:
辐射换热
,
辐射器
,
光栅结构
,
磁极化
,
TPV
周涛
,
陆晓东
,
吴元庆
,
李媛
硅酸盐通报
利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度(JsC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)及转换效率(Eff)的影响.结果表明:随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低.当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低.随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点.当背表面复合速率较小(50～500 cm/s)时,最优的发射区半宽度为800 μm.当背表面复合速率较高(≥5000 cm/s)时,最优的发射区半宽度为1200 μm.
关键词:
背接触
,
太阳电池
,
发射区
,
半宽度
,
表面复合速度
宿世超
,
王涛
,
韩宇哲
,
田罡煜
,
黄海宾
,
高超
,
岳之浩
,
袁吉仁
,
周浪
人工晶体学报
为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50～250 Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150 ～600Ω/□□范围内可控的p+型发射极.并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除.
关键词:
HWCVD
,
晶硅太阳电池
,
固态扩散源
,
发射极
,
方阻
