付蕊
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化麒麟
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涂洁磊
人工晶体学报
采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜；用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性；并分析了不同衬底温度对薄膜的结构和光学特性的影响.结果表明:在硅衬底上制备的ZnS都为多晶薄膜,具有闪锌矿β-ZnS结构；随衬底温度升高呈(111)晶面高度择优取向,平均晶粒尺寸有所增大,内应力、位错密度、折射率和吸收系数有所减小,禁带宽度随之增大；衬底温度为300℃时制备的薄膜表面均匀致密,呈现较优的结构和光学性能.
关键词:
电子束蒸发
,
ZnS薄膜
,
衬底温度
,
微结构
,
光学特性
王星星
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张福勤
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周俊
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郑吉祥
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黎炳前
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刘怡
中国有色金属学报
封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理.分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能.结果表明:在1200℃、保温2h后,采用真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2块体.随着退火温度的升高,薄膜中In-Se杂质相分解,从而获得单一相的CIGS薄膜;并且颗粒不断长大,达到1.0～3.5 μm;成分和光学禁带不断得到优化.600℃退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料.
关键词:
太阳电池
,
CuIn07Ga0.3Se2
,
真空熔炼
,
电子束蒸镀
,
退火处理
