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同一上转换机理下Yb3+掺杂浓度对发光强度比值的影响

张向华 , 陈意军 , 龚军辉 , 孙静 , 丁庆磊

硅酸盐通报

通过固相反应法制备了Ho3+/Yb3+共掺杂ZrO2-ZnO粉末和Er3+/Yb3+共掺杂不同基质材料的样品,在980nm激发下测量了各样品的绿色和红色上转换发光,分析了各波段的上转换发光机理.在同一上转换机理下,当Yb3+的掺杂浓度增加时,绿光对红光的上转换强度比值呈现出一定规律的变化趋势.这是由于Yb3+的掺杂浓度会影响样品的测试温度,从而改变样品的上转换发光特性.

关键词: 上转换 , 掺杂浓度 , 测试温度 , Yb3+

不同腐蚀条件下高强15Cr马氏体不锈钢表面状态表征

张福祥 , 吕祥鸿 , 杨向同 , 赵国仙 , 巴旦 , 张双双

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.06.006

通过模拟酸化及生产工况条件下的鲜酸、残酸及地层水CO2腐蚀试验,研究高强15Cr马氏体不锈钢在不同条件下的腐蚀行为,利用电化学测试技术,探讨其在不同腐蚀环境中的表面(钝化)状态,并对其耐蚀性进行表征.结果表明:高强15Cr马氏体不锈钢在鲜酸中处于活化状态,均匀腐蚀速率极大,并且出现明显局部腐蚀;在残酸及地层水CO2腐蚀环境中,高强15Cr马氏体不锈钢处于钝化状态,其钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,均匀腐蚀轻微,试样表面未出现明显局部腐蚀;相比于地层水CO2腐蚀环境,残酸溶液的pH值较低,高强15Cr马氏体不锈钢稳定钝化区范围显著减小,外层钝化膜掺杂浓度升高,平带电位正移,钝化膜的致密度下降,耐蚀性降低.在高强15Cr马氏体不锈钢油管的使用过程中,酸化压裂的鲜酸腐蚀是造成其发生腐蚀,特别是点蚀的主要原因.

关键词: 高强15Cr马氏体不锈钢 , 钝化 , 活化 , 掺杂浓度

掺杂AgCl中光电子衰减特性研究

代秀红 , 张荣香 , 李晓苇 , 董国义 , 杨少鹏 , 韩理

人工晶体学报

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)_6]~(4-)盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱.实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116 ns延长至1133 ns.分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大.研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显.

关键词: 微波吸收介电谱 , 掺杂浓度 , 光电子衰减 , 浅电子陷阱

Sm∶YAG晶体生长与吸收光谱研究

李洪峰 , 韩剑锋 , 杨国利 , 莫小刚

人工晶体学报

采用提拉法生长了掺杂3.0at%,5.0at%和10.0at%浓度的Sin∶ YAG晶体.采用ICP-AES方法初步测试了Sm离子在晶体中的浓度,并根据测试结果计算了Sm离子在晶体中的分凝系数,探讨了生长高掺杂浓度晶体的生长条件,测试了其在可见光及近红外光波段的吸收光谱.结果表明,Sin∶ YAG晶体在80 ~900 nm处几乎完全透明,在Nd∶ YAG晶体的发射波段,可有效吸收1064 nm的近红外光,且随着掺杂浓度的增加,其吸收效果越强.这表明Sin∶ YAG晶体对于高功率Nd∶ YAG激光器工作过程中产生的放大自发辐射现象引起的寄生振荡具有较好的抑制作用.

关键词: Sm∶YAG晶体 , 掺杂浓度 , 分凝系数 , 放大自发辐射

基于Ir(ppy)2acac的掺杂浓度对OLED器件发光性能影响研究

张麦丽 , 张方辉 , 张微 , 黄晋

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142903.0328

制备了结构为:ITO/MoO3 (40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP:Ir(ppy)2 acac(x%) (30 nm)/BCP(10 nm)/Alq3 (40 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的器件,Ir(ppy)2acac为绿色磷光染料,x分别为4%、6%、8%、10%.通过调节绿色磷光染料的掺杂浓度,对器件的发光性能进行了研究,发现在掺杂浓度为8%,亮度为490 cd/m2,器件获得最高电流效率为69.43 cd/A,相比4%的器件高出27.5%.分析原因是掺杂浓度越高,载流子在绿色染料上复合的几率越高;CBP与Ir(ppy)2 acac的LUMO能级均为2.5 eV,注入主体CBP上的电子可以直接传递给掺杂染料,避免电子对掺杂染料传递过程中的能量损失;较高的掺杂浓度更有利于载流子的传输.然而,较高的掺杂浓度会引起三线态激子的猝灭效应.另外,由于TCTA、BCP为载流子阻挡材料,具有较高的三线态能量,可以将载流子和激子限制在发光层内.

关键词: 有机电致发光器件 , 磷光 , 掺杂浓度 , 阻挡层

光照区域结构参数对硅光电晶体管性能的影响

周涛 , 吴志颖 , 吴元庆 , 路春希

硅酸盐通报

利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ~ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.

关键词: 光电晶体管 , 减反射膜 , 电阻率 , 少子寿命 , 掺杂浓度 , 光谱响应度

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