曹阳
,
刘玉岭
,
王辰伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).011
采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量 H2 O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着 H2 O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层 Ta/TaN 均有小幅度的降低,但在 MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着 H2 O2含量的增加逐渐降低,加入5％(体积分数)H2 O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2 O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高 CMP 全局平坦化具有极重要的作用。
关键词:
化学机械平坦化
,
碱性铜精抛液
,
双氧水
,
碟形坑
,
残余铜
魏文浩
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
牛新环
,
郑伟艳
,
尹康达
功能材料
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层（Ta）和保护层（TEOS）具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑（dishing）和蚀坑（erosion）具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。
关键词:
碱性阻挡层抛光液
,
去除速率
,
选择性
,
碟形坑
,
蚀坑
高娇娇
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
王胜利
,
崔晋
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.08.008
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一.为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法.实验显示该方法计算结果与实验数据一致.采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率.布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑.对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成.综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法.
关键词:
平坦化效率
,
碱性铜精抛液
,
过抛
,
过氧化氢
,
碟形坑
,
钝化层
