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直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报

首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , nanocrystalline TiN film , Ti02 film

高温流态化合成氮化硅的实验研究

张林进 , 叶旭初 , 吕秀玮

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.001

采用自行设计的高温流化床,利用流态化技术合成了氮化硅粉.研究了温度对硅粉床层流化特性的影响.利用K值法对XRD结果进行计算分析,得到了转化率随反应时间的变化规律.结果表明:随着温度的升高,床层流化所需的最小气速增大.氮化反应初期存在一定的反应诱导期,在转化率为20%~40%时,反应比较剧烈.随后反应速度减缓,160min后反应速度基本不再变化.流态化技术的采用为实现常压条件下连续化生成氮化硅工艺提供了实验基础.

关键词: 氮化硅 , 高温流态化 , 直接氮化

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