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锂、钒掺杂对Bi_2(Zn_(1/3) Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度和介电性能的影响

张东 , 丁士华 , 宋天秀 , 杨秀玲

机械工程材料

采用固相反应法制备出了(Bi_(1.975) Li_(0.025))(Zn_(2/3) Nb_(4/3-x) V_x)O_7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi_2(Zn_(1/2) Mb_(2/3))_2 O_7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响.结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂量x≤0.05时,陶瓷相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象;当x为0.005,0.01,0.02和0.05时,陶瓷的介电弛豫峰值温度分别为125,120,112,100℃,介电弛豫激活能的减小使弛豫温区向低温方向移动.

关键词: Bi_2 , (Zn_(1/3) , Nb_(2/3))_2 , O_7陶瓷 , 掺杂 , 介电弛豫 , 介电性能

氧化剂对聚吡咯复合材料介电性能的影响

刘元军 , 赵晓明 , 李卫斌

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160507

为了探究氧化剂对聚吡咯复合材料介电性能的影响,以吡咯为单体,采用原位聚合法制备了聚吡咯涂层复合材料。通过BDS50介电谱仪研究了氧化剂种类和氧化剂物质的量浓度对复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻的影响;采用Quanta200型环境扫描电子显微镜和Instron万能材料试验机研究了聚吡咯涂层复合材料的外观形貌和强度。结果表明:氧化剂种类、氧化剂浓度对聚吡咯涂层复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻影响较大;制备的聚吡咯涂层复合材料既具备良好的介电性能和导电性,又兼具良好的强度。

关键词: , 吡咯 , 聚吡咯 , 氧化剂 , 介电性能 , 涂层 , 复合材料

二氧化钛/多壁碳纳米管/聚芳醚腈三元复合材料的介电性能

黄旭 , 刘孝波

绝缘材料

通过溶剂流延成膜法配合超声辅助分散制备一种二氧化钛/多壁碳纳米管/聚芳醚腈(TiO2/MWCNT/PEN)三组分复合材料薄膜。对纯PEN薄膜和TiO2/MWCNT/PEN三组分复合材料薄膜的脆断面形貌进行表征,对比分析了TiO2/PEN二组分复合材料薄膜、MWCNT/PEN二组分复合材料薄膜以及TiO2/MWCNT/PEN三组分复合材料薄膜在50 Hz~100 kHz频率内的介电性能。结果表明:超声分散技术使TiO2和MWCNT在PEN基体中分散均匀;同时加入20% TiO2和3% MWCNT的TiO2/MWCNT/PEN复合材料薄膜的介电常数达到26(50 Hz),说明这两种填料对复合材料介电常数的提高有协同作用。

关键词: 二氧化钛 , 多壁碳纳米管 , 聚芳醚腈 , 复合材料薄膜 , 介电性能 , 介电常数

纯钙钛矿相PNN-PT弛豫铁电陶瓷的制备及其介电性能

王建林 , 雷志威 , 唐健 , 刘敏 , 陆亚林

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.02.010

通过在二次合成法过程中适当过量乙酸镍的方法,成功制备了不含焦绿石相的0.66Pb(Ni1/3 Nb2/3) O3-0.34PbTiO3纯钙钛矿相弛豫铁电陶瓷,并研究了其介电、铁电性能.从不同镍过量含量的XRD图谱的对比可知,少量镍过量(Ni(Ac)2过量3%(质量分数)),可以有效地抑制焦绿石杂相的产生,获得100%的钙钛矿相结构.采用介电温谱测试表征了样品的介电性能,表明随着镍过量的增加,介电性能得到优化,当Ni(Ac)2过量3%时,1 kHz测试频率下最大介电常数达11470,同时其样品的介电损耗也是4个样品中最小的.结合电滞回线测量,讨论了过量镍对PNN-PT陶瓷性能的影响,实验表明过量镍会略降低样品的铁电性能.另外,结合SEM电镜照片,还讨论了不同烧结温度对样品致密度的影响,认为1050℃下烧结即可得到较致密样品.镍的适量过量,克服了“自由的Nb2 O5”引起的组分偏离(起伏),从而移除了因残余的“自由Nb2 O5”在第二步固相合成中形成焦绿石相的可能,提高了样品的电性能.

关键词: PNN-PT , 弛豫铁电 , 焦绿石 , 钙钛矿 , 介电 , 铁电性

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3的改性研究

王宁章 , 李建业 , 刘静 , 宁吉 , 高雅

材料导报

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小.用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数).最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌.

关键词: Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷 , 二氧化钛 , 氧化锌 , 烧结助剂 , 介电性能

铁酸铋微晶玻璃的析晶行为及介电性能研究

高子岩 , 蒲永平 , 姚谋腾 , 靳乾 , 郑晗煜 , 王亚茹

人工晶体学报

采用整体析晶法制备了铁酸铋微晶玻璃,通过XRD、DSC、FT-IR、Raman、SEM与电性能测试,研究了不同熔融温度对微晶玻璃的物相组成、微观结构及介电性能的影响.研究结果表明,不同熔融温度的微晶玻璃由非晶态的Bi2O3、Fe2O3和晶态的BiFeO3、Bi2Fe4O9组成.在较低的熔融温度时,微晶玻璃中还存在晶态的Bi2O3.在较高的熔融温度时,存在Bi25FeO40相.1070℃熔融的微晶玻璃于600℃晶化12h后,晶粒尺寸均匀,相比于BiFeO3陶瓷具有更高的介电常数(~ 100),更低的介电损耗(~0.14).铁酸铋微晶玻璃特殊的结构降低了漏导电流,测得饱和的电滞回线,饱和极化强度为1.0 μC/cm2.

关键词: 铁酸铋 , 微晶玻璃 , 整体析晶法 , 熔融温度 , 介电性能

LnNbO_4(Ln=Ce)陶瓷的微波介电性能

张志力 , 许春 , 刘秋平

稀有金属材料与工程

以轻稀土元素铈(Ce)替代A位离子,研究了铌酸铈陶瓷LnNbO_4(Ln代表La至Lu包含Y的稀土元素)的制备工艺、显微结构与介电性能.由于加热制度的不同,材料结构可在CeNbO_(4+0.25) 与CeNbO_4变化,多余的氧原子占据间隙位置而形成了Ce原子的8+2配位体结构,并因此造成介电性能的变化.

关键词: LnNbO_4 , 微波介质材料 , 显微结构 , 介电性能

PMN-PZN-PT铁电陶瓷的准同型相界及电学性能

陈焱 , 张孝文

稀有金属材料与工程

基于准同型相界(morphotropic phase boundary, MPB) 线性组合规律,研究Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 -Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3 (PMN-PZN-PT)三元系的MPB区域,并探求电学性能优越的组分.实验选取(1-x) (0.67 PMN- 0.33 PT)-x(0.91 PZN-0.09 PT) 系列中x=0~0.85的8个实验点;为减少焦绿石相的生成,陶瓷试样用铌铁矿预产物法合成,最终在1120~1160 ℃烧成.X射线衍射分析表明该系列试样均为钙钛矿结构,且处于四方与菱方两相共存态,验证了两个子二元系MPB组分的连线均为该三元系的MPB区域.少量的PZN-PT取代PMN-PT可以提高该三元系的电学性能;在x=0.1的组分获得该系列的最优性能:极值介电常数ε_(m,1 kHz)=28 030,剩余极化强度Pr=32.5 μC/cm~2,压电系数d_(33)=545 pC/N.

关键词: 准同型相界 , PMN-PZN-PT , 介电性能 , 铁电性能 , 压电性能

纳米银/环氧树脂复合材料的制备及其介电性能的研究

徐曼 , 冯军强 , 曹晓珑

稀有金属材料与工程

采用紫外辐照还原的方法制备了纳米银粒子,研究了保护剂的添加、辐照强度和溶液配比等因素对纳米银粒子尺寸的影响.TEM反映出银粒子分散均匀,其粒度约为20 nm.将制备出的纳米银与环氧树脂混合固化形成纳米复合电介质,研究了这种复合材料的介电性能:室温下复合材料的体积电阻率和工频击穿场强随着纳米银粒子的加入有所提高,介质损耗略有降低,而介电常数变化不大.结果表明,纳米银粒子能够提高基体聚合物的介电性能.这一现象可用库仑阻塞机制解释.

关键词: 纳米银 , 紫外辐照还原 , 复合材料 , 介电性能 , 库伦阻塞效应

烧结助剂MnCO3对0.80Sm(Mg1/2Ti1/2)O3-0.20Ca0.8Sr0.2TiO3微波介质陶瓷的性能影响

姚立春 , 慕玮 , 陈柏 , 杨建 , 丘泰

人工晶体学报

采用传统固相反应法,研究了烧结助剂MnCO3对0.80Sm(Mg1/2Ti1/2) O3-0.20Ca0.8 Sr0.2 TiO3微波介质陶瓷的烧结性能和介电性能的影响.结果表明,烧结助剂MnCO3的引入未改变陶瓷的晶相组成.添加适量的MnCO3可以降低体系的烧结温度,获得较优的性能;添加过量的MnCO3或烧结温度过高会产生微裂纹,增加了陶瓷的介电损耗,降低致密性.在1500℃烧结,保温3h,添加0.50wt% MnCO3,0.80Sm(Mg1/2Ti1/2) O3-0.20Ca0.8 Sr0.2TiO3陶瓷获得最佳的介电性能:εr=29.80,Q×f=56900 GHz,(T)f=7.53 ppm℃.

关键词: MnCO3 , 0.80Sm(Mg1/2Ti1/2) O3-0.20Ca0.8Sr0.2TiO3陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能

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