丁佳钰
,
肖瑗
,
王哲飞
,
王丽熙
,
张其土
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10563
研究了CrO3、Nb2O5、SiO2及Al2O3对 Y2Ti2O7 陶瓷的烧结性能、相组成和微波介电性能的影响. 其中Nb2O5 掺杂能够降低 Y2Ti2O7 陶瓷材料的烧结温度, 提高基体陶瓷的介电常数和品质因子,引起谐振频率温度系数的明显变化. 且随着Nb2O5含量的增多,所有样品的主晶相仍为立方烧绿石型Y2Ti2O7,Nb5+可能进入烧绿石结构中, 部分取代Ti4+所在位置.实验结果表明：1mol%Nb2O5掺杂的陶瓷材料在 1420℃ 下烧结致密,具有最佳的微波介电性能: ε r =61.8, Q× f =9096GHz (f=5.494GHz), τf =54×10 - 6 /℃.
关键词:
陶瓷
,
crystal growth
,
X-ray diffraction
,
dielectric properties
,
modification
蒲永平
,
许宁
,
王博
,
吴海东
,
陈凯
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00175
用传统固相法制备了(1- x)BaTiO3/ xCu( x=5 wt%, 10 wt%, 15 wt%, 20 wt%, 25 wt%,30 wt%)复相陶瓷, 研究了Cu含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响. 研究结果表明BaTiO3/Cu复相陶瓷材料的电阻率随着铜含量的增加而下降, 且在渗流阈值( x=25wt%)附近呈现非线性的下降趋势, 复合材料从绝缘体逐渐变为导体. 室温下1 kHz当Cu含量达到 x =30wt%时复相陶瓷的介电常数为~9000, 这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累大量的空间电荷, 并由此产生界面极化, 导致介电常数的显著增大, 且随着导体含量的增加, 这种界面效应更加明显. 复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大, 但随着频率的升高, 由于空间电荷的减少又会使损耗呈现下降的趋势. 在25~115℃的温度范围内, 复相陶瓷温度系数小于5%,具有很高的介电常数温度稳定性.
关键词:
BaTiO3/Cu复相陶瓷
,
percolation theory
,
dielectric properties
Roland Langfeld
,
Miriam Kunze
,
Martin Letz
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.10
硅酸锂铝微晶玻璃材料作为零膨胀材料在光学领域,以及作为耐高温材料在壁炉和烤炉方面的应用都极为广泛.介绍了通过熔化陶瓷化法生产的以Li7La3Zr2 O12(LLZO)为主,并以LiSICon结构为主的两种新型微晶玻璃的最新进展,这两种微晶玻璃在室温下10-S/cm范围内都显示出了良好的Li离子导电性能.此外,还介绍了含纳米晶铁电体或顺电晶相的微晶玻璃,这种微晶玻璃应用于高性能电容器所用新型介电材料上.
关键词:
玻璃
,
微晶玻璃
,
介电性能
,
电容器
,
离子导电性
,
固态电解质
,
锂离子电池
李晓丹
,
罗小勇
,
夏益青
,
冉起超
,
顾宜
高分子材料科学与工程
以双酚A型苯并(口恶)嗪(Ba)与双酚A型氰酸酯(BADCy)为原料,系统研究了苯并(口恶)嗪/氰酸酯共混体系的固化过程及共聚体结构与性能的关系.结果表明,固化过程依次发生:(1)部分Ba开环后催化BADCy的聚合反应;(2)Ba的自聚反应.Ba与BADCy通过共聚反应,最终形成合有三嗪环结构的聚苯并(口恶)嗪交联体系.动态力学分析表明,随着氰酸酯比例的增加,共聚体中的氢键减少,初始模量逐渐降低,但生成的三嗪环增多,Tg上升,共聚体的模量保留率增高.热失重分析显示,共聚体在低温没有出现明显的失重速率峰,5％和10％的失重温度以及800℃的残炭率都高于聚苯并(口恶)嗪,且氰酸酯比例越高,热稳定性越好.力学测试表明,共聚体的弯曲性能略有下降,但冲击性能显著提高.共聚体在不同的电场频率下均保持了较低的介电常数和介电损耗.但共聚体中氢键作用减弱,导致吸水率增加.
关键词:
苯并(口恶)嗪
,
氰酸酯
,
固化过程
,
热性能
,
力学性能
,
介电性能
,
吸水性
潘笑风
,
廖家轩
,
王洪全
,
张佳
,
傅向军
,
魏雄邦
稀有金属材料与工程
用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba_0.6Sr_0.4TiO_3 (BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响.XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用.SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构.在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40 V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20.
关键词:
掺杂
,
钛酸锶钡薄膜
,
钇
,
溶胶-凝胶法
,
介电性能
王敏
,
郭会勇
,
黄文波
,
李文芳
材料热处理学报
将工业纯Ti板（99.5%）分别置于Ba（OH）2、Sr（OH）2＋NaOH溶液中微弧氧化制备BaTiO3和SrTiO3陶瓷薄膜。XRD分析表明：所制备的薄膜分别主要由四方相BaTiO3和立方相SrTiO3组成。测得最优工艺条件下所得两种薄膜在100 Hz下的介电常数分别为152.3和419.1,介质损耗（tanδ）值分别为0.096和0.045。重点研究了微弧氧化工艺参数对薄膜生长的影响规律,结果表明：随着电解液溶度、电流密度的增加以及电流频率的降低,薄膜的生长速度加快;提出并验证了薄膜生长动力学的经验公式。
关键词:
微弧氧化
,
钛酸钡
,
钛酸锶
,
介电性能
云斯宁
,
王晓莉
稀有金属材料与工程
采用改进的工艺路线制备了化学计量比的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3陶瓷,二氧化钛和碳酸钡不经过预烧,与预反应粉体混合球磨,成型后直接烧结,在1100℃和1120℃分别保温1 h,2 h,4 h获得了100%钙钛矿结构的PZN-PT-BT陶瓷,最大密度7.418 g/cm3,最大介电常数7672.
关键词:
PZN-PT-BT陶瓷
,
预烧
,
改进的工艺
,
介电性能
李贵佳
,
全静
,
龚红宇
,
孙良成
材料导报
综述了水泥基压电复合材料的研究进展.对于0-3型水泥基压电复合材料,压电陶瓷相的性能、复合材料的制备工艺以及微观结构等对其压电及介电性能有重要影响.压电陶瓷相含量越高、粒度越大,复合材料的压电响应就越大.提高极化电压有助于增强复合材料的压电响应.增加成型压力可提高复合材料微观结构的致密性,从而提高压电性能.总结了压电陶瓷的体积分数、形貌以及环境湿度与1-3型水泥基压电复合材料的性能关系,介绍了2-2型水泥基压电复合材料的传感效应及驱动效应的相关研究成果,最后展望了该领域的发展前景.
关键词:
PZT
,
水泥
,
0-3型
,
压电性
,
介电性
马丹
,
慕玮
,
丘泰
人工晶体学报
采用固相反应法,研究了B2O3对0.69CaTiO3-0.31LaAlO3微波介质陶瓷烧结性能与介电性能的影响.通过X射线衍射分析表明,B2O3的引入未改变陶瓷的晶相组成.添加适量B2O3的可有效的降低0.69CaTiO3-0.31LaAlO3介电陶瓷的烧结温度,增强致密性并提高介电性能.在1500℃烧结温度,B2O3掺杂量为0.3wt％时,0.69CaTiO3-0.31LaAlO3陶瓷获得最佳介电性能:εr≈45.4,Qf≈52800 GHz,τf≈8.78 ppm/℃.
关键词:
B2O3
,
介电性能
,
烧结温度
,
致密性
翟晓勇
,
周万城
,
罗发
,
朱冬梅
材料导报
讨论了纤雏长度与热压保温时间对含量为25%(体积分数)的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷复合材料介电性能的影响.在8～12GHz频率范围内,介电性能测试结果表明,随纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料的复介电常数实部ε′增大,而其虚部ε″及介电损耗tgδ减小.当保温时间由10min延长到20min时,复合材料的ε′增大,而其ε″与tgδ均减小;且保温20min时,其ε′、ε″与tgδ均已接近适合损耗微波能量的数值.复合材料有望成为电损耗型宽带微波损耗材料.
关键词:
复合材料
,
短切SiC纤维
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电性能
