肖娜
,
杜菲菲
,
邢韵
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2015.03.011
在不同沉积时间和基板温度下,采用反应磁控溅射的方法在Ti6Al4V基板上沉积TiN薄膜,溅射过程中固定溅射总压、溅射功率、氮氩流量比等沉积条件.利用XRD、SEM分别研究了薄膜的微观结构和表面、截面形貌,利用显微硬度仪和划痕仪分别测量了薄膜的硬度和膜基结合力.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜硬度和膜基结合力均有增大趋势;随着基板温度的升高,TiN薄膜择优取向由(lll)转向(200)晶面,表面形貌由三角锥转变为片层状,硬度和膜基结合力均呈现升高趋势.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN薄膜
,
沉积时间
,
基板温度
,
结合力
魏永强
,
魏永辉
,
蒋志强
,
田修波
表面技术
目的：研究基体表面和靶表面不同放置方向以及沉积时间对 Ti 大颗粒形貌和分布规律的影响。方法利用电弧离子镀方法在基体上制备 TiN 薄膜,采用扫描电子显微镜观察 TiN 薄膜的表面形貌,利用 ImageJ 图像软件对 TiN 薄膜表面中 Ti 大颗粒的数目和尺寸进行分析。结果靶基间距保持25 cm,当基体表面与靶表面垂直放置时,薄膜表面的大颗粒数目和所占面积比比平行放置时要少,同时出现了典型的长条状大颗粒；随着沉积时间从5 min 增加到50 min,大颗粒数目和所占面积比出现先减小后增加的趋势。结论选择基体表面与靶表面垂直放置,沉积时间为30~40 min 时,薄膜的沉积厚度和减少大颗粒缺陷可以兼顾。
关键词:
电弧离子镀
,
TiN
,
大颗粒
,
放置方向
,
沉积时间
秦毅
,
赵婷
,
王波
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13549
采用射频等离子增强化学气相沉积设备，以高纯N2和B2H6为气源，制备了系列h-BN薄膜，得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下，研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明：在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下，沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响，且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对 h-BN 薄膜的结晶质量有所影响，而物相和光学带隙基本没有改变。
关键词:
h-BN薄膜
,
沉积时间
,
退火时间
,
光学带隙
王进霞
,
洪瑞金
,
张涛
,
陶春先
,
张大伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.016
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜(Cu2O)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性.实验结果表明,沉积时间为3和6 min时,获得单一相的透明导电Cu2O薄膜;随着沉积时间的增加,薄膜由非晶态转变为(111)方向择优生长,薄膜致密且颗粒呈球状,其粗糙度的均方根(RMS)值增大,薄膜电阻率呈下降趋势;以罗丹明B(RhB)为探针分子,表征样品表面增强拉曼活性,通过对比不同样品表面RhB的拉曼光谱,其散射强度随薄膜表面粗糙度的增大而增强.
关键词:
透明导电薄膜
,
氧化亚铜
,
直流反应磁控溅射
,
沉积时间
,
电阻率
,
拉曼光谱
张倩
,
胡青卓
,
张博
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.008
主要采用电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统制备 Zr-Cu 二元非晶薄膜，衬底基板无冷却装置。通过X 射线衍射仪(XRD)、场发射透射电子显微镜(FE-TEM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、微控四探针测量仪等仪器，系统地研究了样品沉积时间对薄膜厚度、微观结构、表面形貌以及电学性能的影响，另外还分析了与磁控溅射制备的 Zr-Cu 非晶样品的区别。结果显示，该复合镀膜技术制备的 Zrx Cu100-x 非晶薄膜玻璃形成成分范围为 x =30~85；薄膜的结构与性能对沉积时间比较敏感。样品随沉积时间的延长从非晶结构逐渐向非晶纳米晶复合结构转变；相比磁控溅射制备的薄膜样品，复合蒸发法制备的薄膜表面呈现较大尺寸的“团簇”形貌；样品的电阻率和方块电阻随沉积时间的延长逐渐减小。
关键词:
Zr-Cu 非晶薄膜
,
复合蒸发
,
沉积时间
贾芳
,
曹培江
,
曾玉祥
材料导报
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在氧气气氛中以高纯Zn为(99.999%)靶材,在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响.结果表明,采用PLD法在室温下可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差,沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO薄膜
,
沉积时间
