孙华军
,
侯立松
,
缪向水
,
吴谊群
稀有金属材料与工程
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge_2Sb_2Te_5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min).用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650 nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系.结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态:在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge_2Sb_2Te_5,在300℃时出现少量的六方相:低于140℃时易形成非Ge_2Sb_2Te_5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因.
关键词:
Ge_2Sb_2Te_5薄膜
,
沉积温度
,
结构
,
电/光性质
周学芹
,
史玉芬
,
李坤
,
刘小利
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.018
采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2％,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究.采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析.结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向.
关键词:
MPCVD
,
金刚石膜
,
沉积温度
,
择优取向
李兆营
,
公衍生
,
田永尚
,
江峰
,
张志龙
电镀与涂饰
在不同沉积温度(25 ～ 400℃)下,利用射频磁控溅射技术在S i(100)基底上制备了TiN薄膜.采用X射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温度对膜结构和表面形貌的影响,计算了晶面间距和晶格常数,分析了薄膜的应力性质.实验结果表明,不同沉积温度下制备的TiN薄膜主要含有(111)和(220)两种取向,以(220)为择优取向;随着温度的升高,薄膜晶化质量先提高然后趋于稳定.薄膜内应力为压应力,且随温度的升高而有所增大.随沉积温度升高,薄膜晶粒尺寸变小,表面结构更加均匀致密.
关键词:
氮化钛
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
沉积温度
,
微观结构
,
表面形貌
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的Al_xGa_(1-x)N薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al_xGa_(1-x)N外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度(1000～1050℃)是获得高Al含量Al_xGa_(1-x)N薄膜的一种有效手段,但是过高的沉积温度(>1100℃)不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
高铝含量
,
MOCVD
,
外延
,
沉积温度
史小亮
,
郭艳群
,
范峰
,
刘志勇
,
白传易
,
鲁玉明
,
陶伯万
,
蔡传兵
低温物理学报
涂层导体中,作为多层织构模板中的最上层,帽子层的表面形貌、晶粒尺寸、表面粗糙度、平整度、致密度等表面特征将直接影响其上YBa2 Cu3O7-δ超导层的形核、织构形成和外延生长,表面特征的优化成为近期涂层导体缓冲层研究的重点.采用磁控溅射方法在LaMnO3/Epi-MgO/IBAD-MgO/Y2O3/Al2O3/Hastelloy C276上动态外延生长CeO2薄膜作为涂层导体帽子层,主要研究了沉积温度对CeO2薄膜表面特征的影响.利用x射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及拉曼光谱仪等对CeO2薄膜的织构、微结构及表面形貌、表面粗糙度、平整度等表面特性进行细致表征.研究结果表明:CeO2薄膜的表面特征对沉积温度依赖性强;在沉积温度800℃左右获得了最好的织构和表面,CeO2薄膜具有最好的(00l)取向,面内半高宽为7.1°,晶粒尺寸接近YBa2 Cu3O7-δ最高形核密度对应的CeO2最佳尺寸,薄膜表面连续平整均匀,光滑致密无裂纹,其均方根粗糙度约1.4 nm;而且,在此CeO2缓冲层上用三氟乙酸—金属有机沉积方法(TFA-MOD)外延生长的YBa2Cu3O7-δ超导层具有良好的织构及致密平整的表面.
关键词:
磁控溅射
,
沉积温度
,
CeO2
,
表面特征
袁俊宝
,
杨雯
,
陈小波
,
杨培志
,
宋肇宁
人工晶体学报
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,石英玻璃和单晶硅片为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶ H)薄膜.采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和电子能谱仪等分别表征了a-Si∶H薄膜的表面形貌、结晶特性、沉积速率,光学带隙,键合结构和Si化合态等特性.结果表明:随着衬底温度的增加,a-Si∶H薄膜表面的颗粒尺寸减小,均匀性增加,沉积速率则逐渐降低;衬底温度从80℃增加到130℃时,光学带隙显著增加,而在130℃至230℃范围内,光学带隙基本不随衬底温度变化;以SiH键对应的伸缩振动的相对峰强度逐渐增加,而以SiH2或(SiH2)n键对应的伸缩振动的相对强度逐渐减小;a-Si∶H薄膜中Si0+态的相对含量增加.因此,衬底温度大于130℃有利于制备优质a-Si∶H薄膜,230℃是沉积a-Si∶H薄膜的最佳衬底温度.
关键词:
PECVD
,
衬底温度
,
沉积速率
,
光学带隙
,
键合方式
,
化合态
张树参
,
李晓伟
,
王丽
,
张栋
,
柯培玲
,
李志勇
,
汪爱英
中国表面工程
doi:10.11933/j.issn.1007-9289.2016.02.010
为了研究沉积温度对涂层微结构与力学性能的影响,采用直流磁控溅射技术制备了CrB2涂层.通过XPS、XRD、SPM、SEM、HRTEM、纳米压痕仪和维氏压痕仪分别分析了涂层的成分、结构、微观形貌和力学性能.结果表明:在不同沉积温度下,CrB2涂层均由CrB2和少量Cr相组成.涂层具有致密的纳米柱状结构,其直径大约为7 nm,且沿着生长方向贯穿整个涂层截面.随沉积温度升高,涂层晶体取向由(101)和(001)的混合取向逐渐转变为(001)择优取向,涂层由纤维状结构转变为柱状晶结构,且柱状晶尺寸随沉积温度的增加逐渐细化,致密化程度增加.涂层的力学性能随沉积温度的升高而显著增加;当沉积温度达到400℃时,涂层具有最高硬度(50.7±2)GPa和最高弹性模量(513.6±10) GPa.微观结构和力学性能随沉积温度的演变归因于沉积原子运动的逐渐增强和结构的致密化.
关键词:
沉积温度
,
CrB2涂层
,
微结构
,
硬度
,
韧性
徐鹏
,
刘庭芝
,
郭岚
材料导报
采用化学水浴法在玻璃上制备了太阳能电池中的ZnS缓冲层,采用SEM、EDS、XRD和nkd-分光光度计等手段研究了水浴温度对ZnS薄膜的表面形貌、结构和光学性能的影响.结果表明,升高温度不能明显改变薄膜的结晶性、形貌和沉积生长方式.能否成膜与温度的关系也不大,但成膜速率对温度的依赖性较大.随温度的升高,薄膜的透过率先减小后增大,反射率则先增大后减小.对同一试样而言,透过率和反射率对应较好.当温度为70℃时,可制得禁带宽度为3.83eV、符合化学计量比、平整的非晶ZnS薄膜.
关键词:
化学水浴
,
ZnS薄膜
,
沉积温度
董杰
,
金相起
,
朴范求
,
金浩熙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.009
为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸.结果表明,随着钝化层沉积温度的升高,钝化层的刻蚀率在下降,过孔的尺寸变小.当钝化层沉积温度在360℃时,过孔尺寸为8.20 μm.
关键词:
钝化层
,
沉积温度
,
过孔尺寸
