骆旭梁
,
王思源
,
王宙
,
雍帆
,
付传起
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1％时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82％,且晶粒的均匀性最佳.
关键词:
真空蒸镀
,
多晶硅薄膜
,
磷掺杂
,
晶化率
陈永生
,
杨仕娥
,
卢景霄
,
郜小勇
,
张宇翔
,
王海燕
,
李瑞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.
关键词:
微晶硅薄膜
,
晶化率
,
等离子体增强化学气相沉积
