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颜秀文 , 刘东明 , 胡刚
材料导报
在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.
关键词: 晶体缺陷 , 离子注入 , 位错 , 透射电子显微镜
