康永
,
黄英
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.002
采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了钛酸钡纳米粉体,借助XRD、FT-IR、SEM及矢量网络分析仪等分析测试手段对试样晶相、颗粒粒径、表面形貌及吸波特性进行了研究.研究结果表明:BaTiO3粉体最佳的煅烧温度为900℃,BaTiO3颗粒大小均匀,呈单一晶相的四方型,粒径在40～70 nm;PPy/BaTiO3复合材料呈现均匀的球形形状,且聚吡咯(PPy)在BaTiO3颗粒的表面包覆较好;PPy/BaTiO3复合材料的吸波特性,回损达到-17 dB,其中小于-5 dB频率范围为3200～5200MHz,频宽达到了2000MHz,具有较好的吸波性能.
关键词:
吸波频带
,
衰减匹配
,
阻抗匹配
,
介质损耗
,
临界尺寸
,
离域空间
杨丽红
,
陈皓帆
材料科学与工艺
为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶，在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上，以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验，研究制备工艺对薄膜电阻率的影响。实验结果表明：基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素，在一定范围内，温度越高，电阻率越小；确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件。以薄膜电导理论为基础，结合薄膜微观结构和表面形貌，解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因。
关键词:
薄膜热电偶
,
磁控溅射
,
临界尺寸
,
正交试验
,
电阻率
靳福江
,
卢兵
,
朱凤稚
,
罗峰
,
柳星
,
代伟男
,
刘华
,
范峻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0521
介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.
关键词:
黑矩阵
,
线宽
,
相位移掩膜板
,
背面曝光
张海涛
,
康爱国
,
杨北革
,
薛辉
,
郭小龙
人工晶体学报
采用WIEN2K软件,基于第一性原理对具有不同晶格常数的BaTiO3晶胞结构的特性进行了模拟分析.计算了不同晶胞结构中的电荷密度分布,分析了体积与能量的关系对晶胞结构稳定性的影响.结合试验结果探讨了尺寸效应对瓷体铁电性的影响,找到了晶胞能量最低的状态以及电子轨道杂化最显著的晶胞尺寸.从而确定了晶胞铁电性存在的晶粒的临界尺寸为10～ 15 nm.
关键词:
BaTiO3陶瓷
,
临界尺寸
,
第一性原理
