李炎
,
刘玉岭
,
李洪波
,
樊世燕
,
唐继英
,
闫辰奇
,
张金
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009
对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.
关键词:
化学机械抛光
,
碱性抛光液
,
磨料
,
片内速率非均匀性
,
表面粗糙度
,
铜膜
宁婕妤
,
刘邦武
,
夏洋
,
李超波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.033
采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征.结果显示,制备的 Cu 膜电阻率为1．87×10-8Ω??m,非均匀性为2．64％.此外,将制备的 Ni/Cu 工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用 I-V 测试仪测试电池参数,填充因子高达77．8％.
关键词:
镍膜
,
铜膜
,
光诱导电沉积
,
表征
,
制备
邓乐乐
,
侯波
,
何宇廷
,
崔荣洪
,
张腾
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.028
采用脉冲偏压电弧离子镀技术在不同工艺参数(弧电流、基体负偏压)水平下制备了一系列铜薄膜.利用金相显微镜、腐蚀失重试验和双向弯曲试验分别研究了弧电流和基体负偏压对铜薄膜组织结构、耐腐蚀性能和结合性能的影响.结果表明,弧电流由40 A 增加到80 A,薄膜表面颗粒含量明显增加,大颗粒尺寸由13．71μm 增加到19．36μm,膜层平均腐蚀速率降低；随着弧电流提高,薄膜结合性能先降低后提高,60 A 时膜层结合性能最理想；随着基体脉冲负偏压升高,薄膜结合性能提高,薄膜表面颗粒含量及其尺寸减小、负偏压达到200 V 时大颗粒净化效果明显；基体脉冲负偏压由20 V 升高到180 V,膜层平均腐蚀速率先降低后升高,140 V 时膜层耐腐蚀性能最佳.
关键词:
电弧离子镀
,
铜薄膜
,
微观结构
,
结合性能
,
耐腐蚀性能
李佳君
,
刘浩
,
左永刚
,
白旸
,
袁禾蔚
,
何其宇
,
姜龙
,
郭辉
,
孙振路
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.619
根据磁控溅射金属铜膜在超声清洗中从硅基底上发生剥落的现象,分析了样品在声场中的运动和受力状态,发现样品会发生受迫振动,拉-拉周期应力引起膜基界面的失效是薄膜脱落的主要原因,而空化作用是次要原因.通过建立的力学模型,计算了膜基结合强度.与划痕法等所测得的膜基结合强度值的比较,计算值与测量值在数量级和与溅射参数变化趋势上有很好的吻合.此评价方法可以应用于溅射铜膜/多晶金刚石的膜基体系上,并研究了超声参数、基底表面形貌、基底成份等因素对膜基结合强度的影响.
关键词:
材料检测与分析技术
,
膜基结合强度
,
超声清洗
,
受迫振动
,
磁控溅射
,
铜薄膜
周耐根
,
周浪
金属学报
运用分子动力学和静力学方法对,<111>
生长铜膜中孪晶形成的原子过程与能量进行
了模拟研究. 所用的原子间相互作用势为
Finnis-Sinclair型镶嵌原子法(EAM)势. 模
拟和计算分析结果表明, <111>生长铜膜表面沉积原子在不同局部可形成正常排列的fcc畴
或错排的hcp畴；沉积原子处于hcp位置时体系的能量比fcc位置时要高, 其增量决定了孪
晶面出现几率. 沉积原子错排能还受相邻{111}孪晶面的影响,
其间距小于3个原子层厚时,
沉积原子错排能与不形成孪晶的Al晶体表面沉积原子错排能相当, 此时形成
孪晶面的几率极低; 随间距的增加, 表面沉积原子错排能迅速降低, 在间距达到约12个原
子层厚以后, 降到略低于完整Cu晶体{111}表面的沉积原子错排能, 这表明此时出现
孪晶面的几率比在完整晶体表面形成一个新的孪晶面的几率要大.
关键词:
铜膜
,
twin
,
molecular dynamics
