宋超
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董相廷
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王进贤
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刘桂霞
复合材料学报
采用静电纺丝技术，通过改进实验装置，在最佳的纺丝条件下制备了[Ni（CH3C00）2＋PVP]-[Zn（CH3C00）2＋PVP]-FTi（OC4H9）4＋CH3C00H＋PVP]前驱体复合电缆，在600℃下将其进行热处理，制备出了NiO-ZnTiO3-Ti02同轴三层纳米电缆。采用热重一差热（TG-DTA）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（sEM）和透射电子显微镜（TEM）等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZrlTiO3-TiQ同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明，所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO，直径大约为（42．024±4．405）nm；中间层为ZnTiO3，厚度大约为（55．385±7．681）niTl；壳层为TiO2，厚度大约为（70．747±7．373）nm。
关键词:
NiO-ZnTiO3-TiO2
,
同轴三层纳米电缆
,
静电纺丝技术
,
形成机制
