熊伟
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储向峰
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董永平
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毕磊
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叶明富
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孙文起
人工晶体学报
本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1％粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1％粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.
关键词:
蓝宝石
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化学机械抛光
,
去除速率
,
表面粗糙度
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磨料
白林山
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梁淼
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储向峰
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董永平
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张王兵
稀有金属材料与工程
利用化学机械抛光方法对锇基片进行表面平坦化处理,通过自制抛光液研究不同表面活性剂对锇化学机械抛光效果的影响.采用电化学分析方法和X射线光电子能谱(XPS)仪分析表面活性剂对锇抛光的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌.结果表明:加入四甲基氢氧化铵(TMAOH)后,金属锇的去除速率从5.8 nm/min降低到2.9 nm/min,同时锇表面粗糙度从2.1 nm上升到4.8 nm;聚乙二醇400 (PEG-400)、六偏磷酸钠(SHMP)、十二烷基磺酸钠(SDS)3种表面活性剂虽然可以提高金属锇的抛光速率,但是在改善锇表面质量方面并没有帮助;十二烷基硫酸钠(SLS)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)不仅可以提高金属锇的抛光速率,而且可以得到更好的表面平坦化效果,其中十六烷基三甲基溴化铵效果更加明显,可以将锇表面粗糙度(Ra)降低到0.57 nm,同时将抛光速率提高到14.6 nm/min.
关键词:
化学机械抛光
,
锇
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表面活性剂
,
电化学
储向峰
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李秀金
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董永平
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张王兵
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白林山
稀有金属材料与工程
利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响.结果表明在抛光压力为13.79 kPa、H2O2浓度为0.5％,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5％,络合剂EDTA及其浓度为1％时,得到最大抛光速率为312.3 nm/min;在抛光压力为13.79 kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1％、络合剂EDTA为1％、H2O2浓度为1％条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm.并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为.
关键词:
镍
,
化学机械抛光
,
抛光速率
