许洁
,
魏长平
,
贾坤
功能材料
采用溶胶-凝胶法制备Ca((2.7)M_(0.3)Co_4O_9(M=Ag~+,Sr~(2+),Yb~(3+_)系列陶瓷样品,通过XRD和SEM对样品结构进行表征,考察了掺杂对材料电阻率和Seebeck系数的影响.陶瓷样品XRD图呈现出尖锐的(00l)相,且断面形貌呈片层状,说明压片烧结使样品内部晶粒择优取向,形成高度织构.Ag~+掺杂使电阻率略有下降.Sr~(2+)掺杂使电阻率明显降低,提高了功率因子在850K时达到2.62×10!~(-4)W/(m-1·K~(-2)).Yb~(3+)掺杂使Seebeck系数明显提高,但同时也增加了电阻率.因此,在相同掺杂量下,Ca_(2.7)Sr_(0.3)Co_4O_9为优化载流子(空穴)浓度的最佳值.
关键词:
钴酸钙
,
掺杂
,
载流子浓度
,
功率因子
文思逸
,
邹苑庄
,
胡飞
,
文圆
人工晶体学报
采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降.莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当CuCl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 mA/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6％),载流子浓度为3.58×1019 cm-3(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457％).将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L CuCl2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了.
关键词:
电化学掺杂
,
Cu2O薄膜
,
载流子浓度
,
光稳定性
,
载流子寿命
石磊
,
徐学诚
复合材料学报
用溶液共混法制得了MWNTs/PS-PVC复合材料,进行了电导率的测试分析.通过对载流子浓度、迁 移率的测量以及电导活化能的计算等分析研究了影响MWNTs/PS-PVC复合材料电导率的因素和导电机制.结 果表明:当PS与PVC的质量比为1∶1时,MWNTs/PS-PVC复合材料的导电阈值最低；当MWNTs的质量分 数为1.5％,PS在PS-PVC基体中的质量分数为50％时,MWNTs/PS-PVC复合材料的电导率比MWNTs/PVC单一聚合物复合材料的提高了4个数量级.在导电网络的形成过程中,MWNTs/PS-PVC复合材料中形成的与无机化合物超晶格结构类似的n-i-p-i结构,降低了MWNTs/PS-PVC复合材料的电导活化能,增加了载流子浓度,使MWNTs/PS-PVC复合材料电导率显著提高.
关键词:
多壁碳纳米管
,
聚苯乙烯
,
聚氯乙烯
,
电导率
,
载流子浓度
,
导电机制
刘颖
,
戴丹
,
江南
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160422
以化学气相沉积(CVD)制备的单层石墨烯为原料,小分子三嗪为掺杂剂,采用吸附掺杂的方式,在低温下对石墨烯实现n型掺杂.利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV)和霍尔效应测试仪(Hall)对样品的形貌、结构及电学性能进行表征.结果表明:该方法简单安全,能够对石墨烯实现均匀的n型掺杂,掺杂石墨烯的透光率达到95％.掺杂后石墨烯的特征峰G峰和2D峰向高波数移动.掺杂180 min后,载流子浓度达到4×1012/cm2,接近掺杂前的载流子浓度,掺杂后的石墨烯在450℃的退火温度下具有可逆能力,其表面电阻在300℃以下具有较好的稳定性.
关键词:
CVD石墨烯
,
三嗪
,
n型掺杂
,
载流子浓度
,
表面电阻
徐继平
,
程凤伶
人工晶体学报
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.
关键词:
电化学C-V
,
MOCVD
,
GaAs
,
载流子浓度
