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热处理温度对碳掺杂MgB_2/Nb/Cu超导线材性能的影响

王庆阳 , 闫果 , 刘国庆 , 焦高峰 , 熊晓梅 , 冯勇 , 张平祥

低温物理学报

采用Nb/Cu复合管作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(PIT)制备了C掺杂MgB_2 /Nb/Cu线材.在高纯流动氩气保护条件下、650~950℃温度区间内烧结2h微观结构分析显示,通过该工艺制备的MgB_2/NbZr/Cu线材具有良好的晶粒连结性和较高的致密度.X射线衍射(XRD)分析表明在750℃左右可以生成纯度较高的MgB_2相,在低温和高温下烧结后均有杂相峰出现,并且高温烧结后所生成的相结构较为复杂.采用四引线法超导临界电流的测试结果表明,低温烧结后的线材具有超导电流传输性能,而当热处理温度超过750℃时,样品中的电流传输状态表现为正常电阻态.实验结果证实采用Nb作为原位法MgB_2超导线材的包套阻隔层时,成相热处理一般应该在低于750℃的温度下进行.

关键词: 二硼化镁线材 , 热处理温度 , 碳掺杂 , 超导电性

碳掺杂TiO2纳米管电极的简易制备及其光电化学性能

赵鹏 , 李忠 , 崔晓莉

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140576

通过阳极氧化方法制备了TiO2纳米管薄膜,在NaHCO3存在下对该薄膜进行热处理得到碳掺杂TiO2(C-TiO2)纳米管薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱、电化学阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky等方法对得到的薄膜进行表征.XRD结果表明C-TiO2纳米管薄膜中的TiO2主要为锐钛矿晶型;SEM结果显示薄膜存在纳米管结构;XPS分析表明C-TiO2纳米管薄膜中的C以替代型掺杂形式进入到TiO2晶格中;光电化学性能测试显示,相对于TiO2纳米薄膜,C-TiO2阻抗减小,平带电位由-0.28 V负移至-0.38 V,具有更好的紫外-可见光和可见光响应,紫外-可见光下的光电流是未掺杂的1.7倍.利用阳极氧化的Ti丝作为光阳极和Pt丝作为对电极组装了染料敏化太阳能电池并进行了性能测试,结果表明,经过碳掺杂的Ti/TiO2丝为光阳极电池的短路电流密度和电池效率分别达到0.17 mA/cm2和3.8%,较未掺杂的Ti/TiO2丝为光阳极的电池的短路电流密度和电池效率均增大,表明适量的碳掺杂有利于提高电池效率.

关键词: TiO2 , 阳极氧化 , C掺杂 , 光电化学

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