涂娜
,
江向平
,
李小红
,
傅小龙
,
杨帆
人工晶体学报
采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3 O12-xSrBi2 Nb2 O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷.系统研究了SrBi2 Nb2 O9掺杂对Bi4Ti3 O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ =98.1％,机电耦合系数kp=8.26％,εr=220,介电损耗tanδ =0.29％,剩余极化强度Pr=9.128 μC/cm2,Tc=594℃.同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
SrBi2Nb2O9
,
铋层状
,
铁电陶瓷
,
介电性能
陈云婧
,
江向平
,
陈超
,
涂娜
,
李小红
硅酸盐通报
采用固相法制备了Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9-0.4wt％Cr2O3-xwt％CeO2(x=0.00～ 1.00)高温无铅压电陶瓷,研究了Ce掺杂对该系列陶瓷微观结构及电性能的影响.结果表明所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷,适量的Ce掺杂明显改善了陶瓷的压电与铁电性能,降低了陶瓷的电导率和介电损耗.当掺杂量x=0.50时,样品具有最佳性能:d33=27 pC/N,tanδ=0.09％,kp=7.97％,Qm=2637,Tc=656℃,Ec=46 kV/cm和Pr=4.4 μC/cm2,表明该材料在高温领域内具有良好的应用前景.
关键词:
铋层状
,
压电陶瓷
,
微观结构
,
电性能
涂娜
,
江向平
,
陈超
,
傅小龙
,
杨帆
稀有金属材料与工程
采用传统固相法制备了CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3 (BTO-KNN)铋层状陶瓷材料.系统研究了CeO2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO2的掺杂而显著提高,损耗明显降低.当CeO2掺量为0.75％(质量分数)时,样品具有最佳的电性能:d33=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.29％,机械品质因数Qm=2897,剩余极化强度Pr=11.83 μC/cm2,且居里温度 Tc高达615℃;研究结果表明CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3铋层状陶瓷是一种潜在的高温陶瓷材料.
关键词:
铋层状
,
压电陶瓷
,
微观结构
,
Bi4Ti3O12
晏海学
,
李承恩
,
周家光
,
朱为民
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.003
综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究. 铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成. 此处A为适合于12配位的离子; B 为适合于八面体配位的离子，m为一整数，其值一般为1～5. 与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比，铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高T c、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等.
先前研究证明，居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、A位Bi含量有关，而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关. 压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点，通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术. 研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料.
关键词:
铋层状结构
,
性能
,
居里点
涂娜
,
邵虹
,
陈超
,
李小红
,
江向平
人工晶体学报
采用固相法制备了Na0.5Bi85Ti7O27+xmol％ MnCO3(NBTO-Mn-x,x=0.00,3.00,5.00,7.00)铋层状压电陶瓷材料,系统研究了MnCO3的引入对Na0.5Bi8Ti7O27共生结构铋层状陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响.结果表明:所有样品均为单一的共生结构铋层状陶瓷材料,Mn的引入没有改变其物相结构;适量的Mn掺入能明显降低Na0.5Bi8.5Ti7O27陶瓷的介电损耗tanδ,改善其电性能,当x=5.00时,其综合性能最佳:p、d33、Qm、kp和k1分别为p=6.90 g/cm3、d33=19 pC/N、Qm=3230、kp=11.00％、k11=13.40％,该组分陶瓷样品具有良好的热稳定性.
关键词:
Na0.5Bi8.5Ti7O27
,
铋层状
,
电性能
