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刘波 , 唐文进 , 宋忠孝 , 徐可为
金属学报
通过等离子体与铜膜表面的分步反应合成了厚约4 nm的CuSiN自组装层。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、纳米电子束探针(EDS)和 X射线衍射仪(XRD)表征CuSiN和Si/SiO2/TaN/Ta/Cu(CuSiN)/SiC:H/SiOC:H 多层膜基体系的微结构和热稳定性。结果表明:CuSiN层的引入显著提高Cu/SiC:H/SiOC:H结构的热稳定性,其机制是在500℃退火温度条件下CuSiN层能够稳定存在,从而阻碍了Cu原子向SiC:H/SiOC:H介质薄膜体内的扩散。
关键词: 铜互连 , self-aligned CuSiN , thermal reliability , barrier layers