黄小丽
,
田杨萌
,
胡晓青
材料科学与工程学报
如何获得理想的氮化铝陶瓷是电子陶瓷材料研究领域的重要课题.本研究采用纳米复合添加剂Y_2O_3-La_2O_3,分别在1600℃、1650℃、1700℃、1750℃和1800℃下,无压烧结氮化铝陶瓷.测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构.实验结果表明:烧结温度达到1750℃,就可获得致密烧结,此时AlN晶粒细小均匀,第二相Al_2Y_4O_9、LaAlO_3和Y_2O_3分布在AlN晶界,AlN晶粒内的氧含量很低,AIN陶瓷样品的热扩散率较高.
关键词:
氮化铝
,
纳米添加剂
,
烧结
,
热扩散率
黄翔
,
王晓鹏
,
王同昆
,
商庆浩
,
张湘汉
,
张晓
材料开发与应用
本文以碳酸钠和氯化铝沉淀制得的活性氧化铝为原材料,在高温下与氨气反应,制得氮化铝粉体,并对比掺杂氧化镧前后,活性氧化铝生成氮化铝条件的不同.实验过程中,运用XRD对制得的粉体进行物相分析.结果表明,当反应温度达到1 200℃时,掺杂镧的氧化铝能制得纯净的氮化铝粉体,而未掺杂镧的氧化铝则需要更高的温度.
关键词:
活性氧化铝
,
氮化铝
,
氧化镧
,
氨气
刘伟南
,
韩亚苓
,
刘玉微
,
马智欣
,
韩睿
硅酸盐通报
氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料.本文研究了AlN加入量和烧结温度对Al2O3/AlN复相陶瓷相组成和显微组织的影响.结果表明该陶瓷在1400～ 1550℃烧结时,AlN被部分保留,少量氧原子进入AlN晶格,烧结生成4种铅锌矿结构新相,有利于提高复相陶瓷热导率;氮化铝含量和烧结温度的提高,有利于形成大尺寸晶粒.
关键词:
氧化铝
,
氮化铝
,
新相
,
显微组织
雷爱华
,
黄增彪
,
邓华阳
,
黄宏锡
,
佘乃东
绝缘材料
以氮化铝为导热填料对环氧树脂进行填充改性，制备铝基覆铜板。研究氮化铝的填充量对铝基板绝缘层耐电压、热导率以及剥离强度的影响。对氮化铝进行表面处理，并对处理后的氮化铝对铝基板绝缘层性能的影响进行分析。结果表明：绝缘层的热导率随氮化铝填充量的增加而增大，在填充量大于40%时呈现快速增长，而剥离强度随填充量的增加而降低，耐电压性能在高填充时急剧下降；对氮化铝进行表面处理能显著提高绝缘层在高填充下的耐电压性能，同时剥离强度也得到明显改善。
关键词:
铝基覆铜板
,
耐电压
,
高导热
,
氮化铝
刘文彬
,
熊宁
,
王铁军
,
李永卿
硅酸盐通报
以TiB2为微波衰减剂,通过高温热压烧结工艺制备出AlN基微波衰减陶瓷材料.研究了微波衰减剂含量对陶瓷材料的显微结构与热导率、介电性能的影响.结果表明:随着TiB2含量的增加,材料的热导率从110 W/m·K降低到72 W/m·K,微波频率10 GHz下介电常数逐渐增加,介电损耗从0增加到0.17,具备了较好的衰减性能和导热性能.
关键词:
氮化铝
,
热导率
,
微波衰减
,
介电性能
聂琰
,
曲敏杰
,
吴立豪
,
王艳
,
何苗
,
赵建
,
冯钠
,
侯月娇
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151211.001
以聚醚醚酮(PEEK)为基体树脂、碳纤维(CF)和氮化铝(AlN)为填料,通过模压成型的方法制备了抗静电耐热型CF-AlN/PEEK复合材料.采用高阻计、导热系数测定仪、热失重、差示扫描量热仪和SEM研究了CF-AlN/PEEK复合材料的抗静电性能、热性能、力学性能以及降温速率对复合材料性能的影响,并探讨了后期热处理对力学性能的影响.结果表明:当CF和AlN的质量分数均为10％时,CF-AlN/PEEK复合材料的性能较优,其表面电阻率达到108 Ω,比PEEK的表面电阻率提高了6个数量级;导热系数为0.418 W·(m·K)-1,初始分解温度高达573℃;拉伸强度提高了40.4％;降温速率越低,复合材料的熔点越高;后期热处理会影响CF-AlN/PEEK复合材料的力学性能,在270℃下热处理2h,其拉伸强度可达146 MPa,表明在生产过程中,加工温度是影响复合材料性能的因素之一.
关键词:
碳纤维
,
氮化铝
,
聚醚醚酮
,
复合材料
,
抗静电
,
热处理
王华杰
,
刘学超
,
孔海宽
,
忻隽
,
高攀
,
卓世异
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160250
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ～ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ～ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌,台阶宽度为2～4μm,高度在几个纳米;拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量.PVT法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢,Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长,进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构.AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充,通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究,有望在微型光电器件领域表现出应用价值.
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
氮化铝(AlN)晶体
,
六方微米柱
,
物理气相输运(PVT)
王现彬
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.05.010
氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN 极性相反，且具有较高的表面化学活性，使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道，综述了 N-polar GaN 上欧姆接触的研究进展。首先对 N-polar GaN材料的制备进行了分析，随后对 N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论，以期为实际 N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考。
关键词:
氮极性
,
氮化镓
,
欧姆接触
,
氮化铝
