冯翠月
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张文倩
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刘玉岭
电镀与涂饰
探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H2O2 1.0％(体积分数,下同),螯合剂FA/O Ⅱ 0.4％,非离子表面活性剂FA/O Ⅰ 2.0％,纳米硅溶胶磨料12％,pH 10.粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 mL/min,抛光时间240 s.精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 mL/min,抛光时间240 s.粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min.通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm.
关键词:
铝栅
,
化学机械抛光
,
配方
,
磨料
,
去除速率
,
表面粗糙度
张金
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刘玉岭
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闫辰奇
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张文霞
电镀与涂饰
在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5％,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5％,螯合剂0.5％,表面活性剂1.0％.铝的去除速率为1 00 nm/min,抛光后的表面粗糙座为8.85 nm.
关键词:
铝栅
,
化学机械抛光
,
氧化剂
,
螯合剂
,
表面活性剂
,
去除速率
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
,
牛新环
,
孙鸣
电镀与涂饰
采用由2.5％(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5％ H2O2、0.5％ FA/O型螯合剂和1.0％表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理.研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响.采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5 psi,抛头转速60 r/min,抛光盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8 nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷.
关键词:
铝栅
,
化学机械平坦化
,
抛光
,
缺陷
,
表面粗糙度
