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预置镍化学气相沉积法制备定向碳纳米管

马伟伟 , 周明 , 李刚 , 袁润 , 冯程程

材料科学与工程学报

采用化学气相沉积法(CVD),在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜.对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究.结果发现预处理后的岛状区域随着薄膜厚度的增加而增加,纳米粒子区域的变化则与之相反.对5nm的镍薄膜进行预处理能获得细化和均匀分布的纳米粒子,有利于定向碳纳米管的生长.碳纳米管的生长过程及其细微结构与温度有很大关系.碳源的分解、碳原子在催化剂内部的扩散以及催化剂粒子的团聚三者之间的竞争决定了碳纳米管的生长情况.本文分析了碳纳米管的顶部生长模式及该模式下催化剂粒子的形态变化.

关键词: 预处理 , 刻蚀 , 定向碳纳米管 , 化学气相沉积

辉光放电对负偏压增强热丝化学气相沉积碳纳米管的准直生长作用研究

王必本 , 侯碧辉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.034

利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长.发现在无辉光放电的情况下,碳纳米管弯曲生长,而在辉光放电时,碳纳米管准直生长,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用.由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成很强的电场.相对无辉光放电时的电场,场强提高了两个数量级.本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用.

关键词: 准直碳纳米管 , 辉光放电 , 负偏压

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