邵喜斌
,
王丽娟
,
李梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.001
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化.提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系.使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶H TFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值.
关键词:
a-Si:H TFT
,
SPICE模型
,
亚阈值区
姚建可
,
许宁生
,
邓少芝
,
陈军
,
佘峻聪
,
王彬
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.018
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以SiH和SiH2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7～8.8×10-6 S/cm;n+a-Si:H薄膜的电导率为3.8×10-3 S/cm.所制备的TF工具有以下性能:Ioff≈1×10-14 A,Ionn≈1×10-9 A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5 V,μ≈0.113cm2/(V·s),S≈2.5 V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求.
关键词:
塑料基底
,
a-Si:H TFT
,
柔性显示
