张春华
,
郭亨群
,
王国立
,
申继伟
,
徐骏
,
陈坤基
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.002
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
关键词:
a-Si/a-SiNx超晶格
,
光致发光
,
量子限制效应
,
射频磁控反应溅射
