陈玲玲
,
程珊华
,
宁兆元
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007
在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制备的薄膜中的F/C比较低,CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主,其交联程度高,因而具有较好的热稳定性.
关键词:
a-C:F
,
沉积温度
,
红外吸收谱
,
热稳定性
吴振宇
,
杨银堂
,
汪家友
功能材料
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1～3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大.
关键词:
a-C:F
,
退火
,
化学结构
,
电学性能
,
XPS
