付廷波
,
程晓农
,
严学华
,
刘红飞
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.08.008
利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能.结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5 /℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%.
关键词:
磁控溅射
,
ZrW2O8薄膜
,
热膨胀系数
,
介电性能
,
透光率
