董抒华
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刘俊成
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许珂敬
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧法制备了LaFe1-xZrxO3(x=0,0.05,0.1,0.3,0.5)的纳米粒子催化剂,通过XRD、UV-vis、SEM和TEM等技术表征了这些纳米晶的物化性质及微观结构,并研究了其对亚甲基蓝紫外光照射降解的光催化活性.结果表明:所得催化剂均为立方相,原子Zr替代钙钛矿B位Fe进入晶格中并引起晶胞膨胀,晶格产生畸变.在B位掺杂Zr后,LaFeO3光催化活性明显得到提高.Zr最佳掺杂量为x=0.3,这时所形成的LaFe0.7Zr0.3O3光催化剂晶粒分散性好、尺寸分布窄,并具有均匀的微孔结构,是一种非常有前途的光催化剂.
关键词:
钙钛矿
,
溶胶-凝胶自蔓延燃烧法
,
Zr掺杂
,
光催化活性
张安民
低温物理学报
将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超导电性.结果表明,适量的Zr掺杂使得MgB2的平均晶粒尺寸变小,晶界面积增加和晶粒连接性改善,获得致密性较高的MgB2超导体,其临界电流密度比较大.
关键词:
MgB2超导体
,
显微结构
,
Zr掺杂
,
临界电流密度
朱葛俊
,
张波
,
徐良
材料保护
过去，鲜有Zr掺杂氧化铟锡（ITO）薄膜电学稳定性及耐蚀性的研究报道。采用磁控溅射法制备了ITO薄膜和Zr掺杂ITO薄膜（ITO：Zr），研究了2种薄膜的微观结构、光电性能及其在3种模拟腐蚀环境（酸性、海洋、工业）腐蚀液中的电学稳定性及耐腐蚀性。结果表明：Zr的掺杂导致了ITO薄膜择优取向向（400）晶面转变，ITO：Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的光电性能；2种薄膜在3种环境介质中都能发生自钝化，在工业环境中具有最好的耐腐蚀性能；ITO：Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的电学稳定性和耐腐蚀性。
关键词:
磁控溅射
,
ITO薄膜
,
Zr掺杂
,
电学稳定性
,
耐腐蚀性
,
腐蚀环境
叶帅
,
索红莉
,
吴紫平
,
刘敏
,
徐燕
,
马麟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00765
采用低氟的金属有机盐沉积技术(MOD)在LAO单晶上制备了Gd和Zr掺杂的YBCO薄膜,并分析了不同掺杂对YBCO薄膜在外加磁场下的Jc的影响.研究发现,采用Gd部分取代YBCO薄膜中的Y元素,可以有效地提高YBCO薄膜高场下的Jc值,但对于低场下的Jc值影响不大;而采用过量Gd掺杂YBCO薄膜,可以有效地提高YBCO薄膜在低场下的Jc值,但对于高场下的Jc值影响不大.而Zr掺杂可以有效地提高YBCO薄膜在低场和高场下的Jc值.最后,结合Gd取代和Zr掺杂两种方式,有效地提高了YBCO薄膜的场性能,其最大钉扎力(Fp(Max))达到了16GN/m3,比纯的YBCO薄膜(4.0 GN/m3)提高了约3倍;在磁场为3T和7T下,其Jc值分别为1.31MA/cm2和87.7kA/cm2.
关键词:
MOD
,
Gd取代
,
Zr掺杂
,
YBCO薄膜
宋庆功
,
杨宝宝
,
赵俊普
,
秦国顺
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郭艳蕊
,
胡雪兰
中国有色金属学报
采用密度泛函理论计算研究Zr和(或)Mn替位掺杂γ-TiAl形成的8个合金体系的几何结构、形成能、弹性模量、能带结构和重叠布居数等.结果表明:各个掺杂体系的总能量和原子平均形成能均是负值,表明它们具有较好的能量稳定性、在特定条件下是可以实验制备的.Zr或(和)Mn单(双)替位掺杂可以改善此类γ-TiAl基合金体系的轴比(R)和弹性模量比(B/G),特别是Ti12Al11Zr、Ti12Al11Mn、Ti11MnAl11Zr和Ti11ZrAl11Mn的轴比更接近于1,B/G接近1.75,预报这4个掺杂体系均具有较好的延性.这为探索改善γ-TiAl基合金的延性提供了理论依据.根据对典型掺杂体系电子性质和重叠布居数分析,发现Zr和Mn掺杂使体系的共价键强度降低、金属键强度增强,从而提高了面间的可动性,有利于改善合金的延性.
关键词:
γ-TiAl基合金
,
Zr掺杂
,
Mn掺杂
,
延性
,
电子性质
,
第一性原理
