冯丽莎
,
江庆军
,
叶志镇
,
吕建国
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.002
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT).研究了Ti掺人对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响.研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84％;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能.当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×105.
关键词:
溶液燃烧法
,
ZnTiSnO薄膜
,
非晶态
,
薄膜晶体管
