吴晓丽
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郑家贵
,
郝瑞英
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冯良桓
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蔡伟
,
蔡亚平
,
张静全
,
黎兵
,
李卫
,
武莉莉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.027
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.
关键词:
ZnTe:Cu多晶薄膜
,
共蒸发系统
,
结构
,
电阻率～温度
