殷利迎
,
介万奇
,
王涛
,
周伯儒
,
杨帆
,
查钢强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.001
为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构.用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响.模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流.随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动.生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输.生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总长度的1/3处时转为平直界面,之后转为凹界面.生长界面深度始终明显小于未采用本支撑结构时的生长界面,也没有出现生长界面的分段现象.这样的生长界面将有利于提高ZnTe晶体的单晶率及结晶质量.
关键词:
ZnTe
,
晶体生长
,
温度梯度溶液法(TGSG)
,
数值模拟
,
生长界面
,
热溶质对流
李文明
,
吴一
,
刘晨吉
,
郑树凯
,
闫小兵
材料科学与工程学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质.结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移.
关键词:
ZnTe
,
共掺杂
,
密度泛函理论
谷智
,
李国强
,
介万奇
功能材料
研究了表面处理工艺对ZnTe的Raman光谱的影响,结果表明,ZnTe的LO(Γ)特征峰对表面处理工艺敏感,该特征峰的强度与半峰宽的比值(I/H)越大,晶体表面晶格完整性越高.对机械抛光的ZnTe晶片依次进行化学抛光、去除表面氧化物,I/H值分别出现不同程度的增加,表面晶格完整性逐渐提高.以514.5nm激光激发ZnTe,荧光峰掩盖了200～3000cm-1内Raman散射峰,拟合得到ZnTe的禁带宽度是2.255eV.
关键词:
ZnTe
,
表面处理
,
Raman光谱
,
显微荧光光谱
钟柳明
,
王占勇
,
金敏
,
张伟荣
,
刘文庆
,
徐家跃
材料导报
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
ZnTe
,
单晶生长
XING Jinhai(Department of Physics
,
Liaoning University
,
Shenyang 110036
,
China)HUANG Heluan(Department of Electronic Science and Engineering
,
Liaoning University
,
110036
,
China)
金属学报(英文版)
In this paper the binding energy of the shallow.donor in CdTe/ZnTe strained double quantum well was calculated.The effect of the finite well potential and strain,resulting from the lattice mismatch,on the binding energy of the impurity is included in a variational framework.The binding energy is obtained as a function of the well width,barrier width,and impurity position in the barrier by using a variational method.The result of the present calculation shows that the variational law of the binding energy is similar to that of unstrained materials.
关键词:
:binding energy
,
null
,
null
,
null
,
null
