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单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究

余晓艳 , 马鸿文

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.032

本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700～1050 ℃)、基片温度(0～200 ℃)、基片材料(单晶硅、玻璃)以及热处理温度(300～400 ℃)等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法.

关键词: 单源真空蒸发 , ZnSe薄膜 , 电子探针 , X射线粉晶衍射

Dy掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响

吴蓉 , 李蓉萍 , 何志刚 , 安晓晖 , 李忠贤

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.03.012

利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当Zn、Se原子配比为0.9:1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但掺杂使薄膜的晶格常数及晶胞体积略有增大,还使得薄膜的晶粒尺寸及压应力变小,掺杂后薄膜的光透射性得到改善.

关键词: ZnSe薄膜 , 微结构 , 真空蒸发 , 掺杂

ZnSe薄膜电沉积工艺条件的研究

缪娟 , 张成光 , 符德学

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.04.017

采用电沉积方法制备了ZnSe薄膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值及电流密度等对膜层的影响.通过正交试验对上述各参数进行优化,以寻求最佳的工艺条件,得到最佳制备条件为:电流密度6.0mA/cm2,柠檬酸钠14.71g,pH值3.5,Zn2+/SeO2-3浓度比200:1,温度65℃,时间8min.在此条件下制备了薄膜样品,并用扫描电镜、EDAX能谱仪对镀层进行了表征,其结构均匀致密,Zn/Se化学计量比为1/1.01.

关键词: 电沉积 , ZnSe薄膜 , 工艺条件

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